干法刻蚀和湿法刻蚀1干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀是把硅片外表暴露于空气中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反响,从而去掉暴露的外表材料。 湿法腐蚀是以液体化学试剂以化学方式去除硅片外表的材料。 2刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片外表材料的速度,通常用。A/min表示 刻蚀速率=...
六十年代之前,在集成电路的制造中主要以湿法腐蚀为主,但随着器件制作进入微米、纳米时代,器件高度集成,湿法腐蚀的加工精度不能满足生产需求。 干法刻蚀技术具有刻蚀速度快、选择比高、各向异性好、刻蚀损伤小、片内和片间均匀性好、刻蚀断面轮廓可控和刻蚀表面平整等优点,被广泛...
湿法刻蚀是化学腐蚀,晶片放在腐蚀液中(或喷淋),通过化学反应去除窗口薄膜,得到晶片表面的薄膜图形。 2)干法刻蚀与湿法刻蚀比较,优点: ○1保真度好,图形分辨率高; ○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。 ○3清洁性好,气态生成物被抽出;无湿法腐蚀的大量酸碱废液。 缺点: ○1设备复杂 ○2选择比不如...
干法刻蚀用物理和化学方法,可实现各向异性刻蚀,能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术,广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。 把硅片置于液体化学试剂,化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应,从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法,一般是各向同性刻蚀,不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本...
首先,根据芯片产品的制程要求,如果只有干法刻蚀能胜任刻蚀任务,选干法;如果干湿法刻蚀都能胜任的,一般选湿法,因为湿法较经济;如果想精确控制线宽或刻垂直/锥形角度,则选干法。 当然还有一些特殊的结构是必须要用湿法刻蚀的。比如mems中刻硅的倒金字塔结构
在纳米刻蚀工艺中,干法刻蚀和湿法刻蚀是两种主要的刻蚀方法,它们各自具有不同的特点,也适用于不同的应用场景。 首先,让我们来看看干法刻蚀。在干法刻蚀中,我们通常使用物理手段如离子刻蚀、反应离子刻蚀(RIE)、机械研磨等。这些方法的主要优点是刻蚀速度快,对材料的兼容性好,能够处理各种不同类型的材料。然而,这种...
首先,根据芯片产品的制程要求,如果只有干法刻蚀能胜任刻蚀任务,选干法;如果干湿法刻蚀都能胜任的,一般选湿法,因为湿法较经济;如果想精确控制线宽或刻垂直/锥形角度,则选干法。 当然还有一些特殊的结构是必须要用湿法刻蚀的。比如MEMS中刻硅的倒金字塔结构,则只能用湿法刻蚀来完成。
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)...
湿法刻蚀是在大气环境下,利用化学品溶液去除品圆表面的材料的工艺过程。湿法刻蚀主要利用溶液中的有效化学成份与目标材料之间的化学反应,生成可溶性产物而将目标材料去除。 由于缺乏有效的方向控制机理,湿法刻蚀大多数是各向同性的刻蚀,不能像干法刻蚀一样对刻蚀剖面进行精确控制,因此不能用于先进工艺中细微图形的转移。湿...