一、带隙基准的基本原理 1.1 基本思想 1.2 VBE随温度的变化 1.3 CTAT+PTAT 抵消温度带来的影响 二、基础的带隙基准电路 2.1 稳定的输出电压 2.2 BJT的匹配 2.3 电路中的反馈环路 2.4 设计举例 2.5 如何获取其他的输出电压 三、输出可调的基准电路 四、非理想因素 Nonidealities 4.1 高阶项 "Curvature" 4.2 ...
带隙基准,英文Bandgap voltage reference,常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压之和,二者温度系数相互抵消,实现与温度无关的电压基准,约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多,因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。有些Bandgap结构...
带隙基准源是电源管理芯片的心脏,该模块是电路的核心部分。带隙基准源可以为电路系统中的其他模块提供一个几乎不受工艺、电源电压和温度(PVT)影响的恒定电流或电压。 1带隙基准相关理论 基准源的产生原理将具有正、负温度系数电压或电压通过一定权重的相加,使二者温度系数相互抵消,最终得到零温度系数的输出。一般是利...
带隙基准(Bandgap Reference)是一种常用的电路设计技术,用于提供稳定和精确的参考电压。带隙基准电路通过利用半导体材料的特性,在温度变化和供电波动等环境条件下产生一个相对稳定的电压。带隙基准电路在集成电路、模拟电路以及精密测量和控制系统中具有广泛的应用。
带隙基准 原理 基于PN结的温度特性。 半导体PN结的正向电压V_BE具有负温度系数。对于一个双极型晶体管,其V_BE与温度T的关系可以近似表示为:V_BE=V_BE0+frac{∂ V_BE}{∂ T}Δ T其中V_BE0是在某一参考温度下的V_BE值,frac{∂ V_BE}{∂ T}是V_BE随温度的变化率,通常为负值,Δ T是温度...
总结起来,带隙基准是描述固体材料电子行为的重要因素之一,能够评估材料的导电性质和光学性质。带隙大小直接影响着材料的导电性质,使得材料呈现出导体、绝缘体或半导体的特性。与之相关的简并点在材料的能带中出现能量等于或接近于零的点,对材料的电子传输和光学性质起着关键作用。通过研究带隙基准和简并点,我们能够更...
带隙基准源 带隙基准源，简称“带隙”。提供基准电压或基准电流的电路。具有与工艺、温度变化等几乎无关的优点，广泛用于高精度的比较器、数据转换器及其他模拟集成电路中。
常见带隙基准结构 带隙基准结构是用于产生一个与电源电压无关、温度稳定的电压或电流的电路结构,常见的主要有: 1.基准二极管结构:这是一种常用的带隙基准电压模结构,利用PN结的温度特性,通过电流与温度变化之间的关系来实现对电压的稳定。基准二极管结构简单,成本较低,但其温度系数较大,精度较低。 2.电压比较器...
1 基准工作的基本原理 图1为典型的与温度无关的带隙基准电路架构图。它的原理就是利用三极管基极-发射极电压△VBE的负温度系数和两个三极管基极-发射极电压差值△VBE的正温度系数相抵消来产生零温度系数的基准电压。如图1所示,图中Mp1、Mp2为LDMOS管,VDD的大部分压降均落在Mp1、Mp2上,因此该电路可以承受较高...