一、带隙基准的基本原理 1.1 基本思想 1.2 VBE随温度的变化 1.3 CTAT+PTAT 抵消温度带来的影响 二、基础的带隙基准电路 2.1 稳定的输出电压 2.2 BJT的匹配 2.3 电路中的反馈环路 2.4 设计举例 2.5 如何获取其他的输出电压 三、输出可调的基准电路 四、非理想因素 Nonidealities 4.1 高阶项 "Curvature" 4.2 ...
带隙基准源,通过将正、负温度系数的电流或电压叠加,可以产生乎不受工艺、电源电压和温度(PVT)影响的恒定电流或电压。其中,将通过电流的形式将不同温度系数进行叠加而构成的基准源,称为电流模式。而将通过电压的形式将不同温度系数进行叠加而构成的基准源,称为电流模式。下面对这两种模式进行简要分析。 3.1电压模 ...
带隙基准(Bandgap Reference)是一种常用的电路设计技术,用于提供稳定和精确的参考电压。带隙基准电路通过利用半导体材料的特性,在温度变化和供电波动等环境条件下产生一个相对稳定的电压。带隙基准电路在集成电路、模拟电路以及精密测量和控制系统中具有广泛的应用。 1.什么是带隙基准电路 带隙基准电路是一种利用半导体...
带隙是指材料中电子能级的分布情况,决定了材料的导电性质。带隙基准是研究半导体材料和器件中非常重要的一个概念。 二、npn晶体管的基本结构和原理 2.1 npn晶体管的结构 npn晶体管是一种三层结构的双极性晶体管,由一层n型半导体夹在两层p型半导体之间构成。其中,n型半导体被称为发射极,p型半导体被称为基极,另...
带隙部分主要由核心部分(core),放大器(amplify),启动电路(Start_up),偏置(Bias),电流产生电路(Current_gen)组成,另外还有三个chopper和一个陷波滤波器(Notch Filter)组成。 6..仿真结果 tt工艺角下的Vref曲线 不同工艺角的下的温度曲线 psrr,在不同工艺角下都在-90dB左右 ...
带隙基准 原理 基于PN结的温度特性。 半导体PN结的正向电压V_BE具有负温度系数。对于一个双极型晶体管,其V_BE与温度T的关系可以近似表示为:V_BE=V_BE0+frac{∂ V_BE}{∂ T}Δ T其中V_BE0是在某一参考温度下的V_BE值,frac{∂ V_BE}{∂ T}是V_BE随温度的变化率,通常为负值,Δ T是温度...
1.带隙基准工作原理 电源要输出一个精确的电压,需要一个精确的参考点,这个参考点就是基准电压。常用的参考电压电路中,带隙基准源是一种常用且精准的基准源。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关,具有确定温度特性的直流电压或电流。在大多数应用中,所要求的温度关系采取下面三种形式中的一种: ...
带隙基准是一类,复杂的,涉及多方面知识的,非常重要的基础电路模块。其设计思路将直接从连续时间域以及电路本身来对抗PVT的变化,理解带隙基准不光在于设计参考源本身,更在于为其他电路提供思路。 再者,我一学物理的,最不会做的事情就是推公式了。 最后,还是得指责一波拉扎维,写带隙基准兜兜转转,电路结构不直观,甚至...
想象一下,DC-DC转换器需要把输入电压转换成稳定的输出电压,而带隙基准就是那个无论温度怎么变化、外部电压怎么波动,都能给出稳定参考电压的核心模块。 从结构上看,典型的带隙基准电路通常由双极晶体管、电阻网络和运算放大器组成。双极晶体管用来产生与温度相关的电压,比如基极-发射极电压(VBE),这个电压会随着温度...