巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与...
实验一:计算巨磁阻传感器的灵敏度K及电阻相对变化率(Δρ/ρ)的最大值 将主机电源表头下的开关扳向直流电流方向,将亥姆霍兹线圈用小手枪插并联来并与主机上的小手枪插座相连,将传感器输出表头下的放大倍数档调至x档 打开主机,将亥姆霍兹线圈电流调零,传感器工作电压调为2V,传感器输出调零,逐渐升高亥姆霍兹线圈电流,...
巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。 效应概念: 巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance)是一种量子力学和凝聚态物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性...
将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中,功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”实验仪的4伏电压源串连电流表后接至基本特性组件“巨磁电阻供电”,恒流源接至“螺线管电流输入”。 调节励磁电流,逐渐减小磁场强度,记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列中。 由于恒流源本身不能提供负向电流,当电流减至0后,交换恒流输出接线的...
gmr磁场传感器即巨磁阻（gmr=giant magneto resistive）磁场传感器。它是一个集磁性薄膜，半导体集成及纳米技术为一体的高新技术产品，应用非常广泛。其技术结构套用一个数学公式：gmr传感器=磁性材料+纳米技术+半导体集成。产品效应 一、gmr效应的简介 2007年诺贝尔物理学奖分别授予来自德国于利希亥姆霍兹研究中心的彼得·...
由于磁头是由多层不同材料薄膜构成的结构，因而只要在巨磁阻效应依然起作用的尺度范围内，未来将能够进一步缩小硬盘体积，提高硬盘容量。除读出磁头外，巨磁阻效应同样可应用于测量位移、角度等传感器中，可广泛地应用于数控机床、汽车导航、非接触开关和旋转编码器中，与光电等传感器相比，具有功耗小、可靠性高、体积小...
什么是巨磁电阻 巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance,缩写:GMR)是一种量子力学和凝聚体物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层(几个纳米厚)结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被授予发现巨磁阻效应(GMR)的彼得·格林贝格和艾尔伯·费尔。巨磁电阻就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻...
巨磁阻效应的发现具有重大意义，除了强大的应用性，它还开创了一个全新领域：自旋电子学 (spintronics)。简单来说，电子具有质量、电荷、自旋等物理特性，而人们可以利用这些物理特性开发出各式各样的电子元件。例如利用电子带电荷的特性，开发出了电晶体、二极管、集成电路等等，大幅增加了人类生活的便利性。而现在科学...
巨磁电阻的主要特征之一就是电阻变化的幅度特别大。和普通的磁电阻效应比起来,普通磁电阻的电阻变化可能就百分之几,而巨磁电阻的电阻变化能达到百分之几十甚至更高。就好像普通磁电阻只是小打小闹地让电阻变一点点,而巨磁电阻则是大张旗鼓地让电阻发生巨变。 巨磁电阻和磁场的关系十分紧密。它的电阻值会随着外加...