主要负责晶圆的加工制造,后道工艺在封测厂中进行,主要负责芯片的封装测试,其中,化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化,是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。
先由PMOS发展到NMOS,又发展为CMOS,目前CMOS技术渐渐不能胜任需求,又发展出BiCOMS、BCD 和HV-CMOS 等多个变种工艺技术。 在PMOS晶体管中,源极(Source)和漏极(Drain)是由p型半导体制成,衬底(Substrate)是n型半导体。当在栅极(Gate)和源极之间施加负电压时,空穴被吸引到栅极下方形成导...
(2)28nm节点:逻辑器件的晶体管中引入高k金属栅结构(HKMG),因而同时引入了两个关键的平坦化应用,包括虚拟栅开口CMP工艺和替代金属栅CMP工艺。 (3)32nm及22nm节点:铜互连低k介质集成的CMP工艺技术支持32nm和22nm器件的量产,其中开始出现的FinFET晶体管添加了虚拟栅平坦化工艺,这是实现后续3D结构刻蚀的关键技术。 七...
与传统的注塑工艺相比，微细发泡注塑成型技术生产的制件具有良好的力学性能以及尺寸稳定性，而且制件的尺寸精度和重复精度高，公差范围小。6. 免喷涂注塑 免喷涂始于2016年，无需喷涂等后加工处理，通过带特殊金属颜色效果的塑胶颗粒注塑一次成型，制成的产品自带色彩纹理等，可以达到仿金属、仿陶瓷甚至仿织物等不同的外...
芯片制造:CMP工艺 1.CMP技术的发展历程 CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)技术是芯片制造中的一项核心工艺,自1965年由Walsh等人首次提出以来,经历了从铝、铜、低K介质、钴等多种材料技术的进步,逐渐成为芯片制造工艺中不可或缺的一环。 2. CMP技术在芯片制造中的作用 ...
工程师脑海中不断浮现两个场景,雕刻,镶嵌,雕刻=蚀刻,镶嵌=沉积,铜虽然不能被蚀刻,但可以沉积,现在的工艺是先沉积铝,然后蚀刻铝,最后沉积电介质,换成铜就不能被蚀刻,但是可以先沉积电介质,然后蚀刻电介质,最后沉积铜,这样所有问题迎刃而解,这就是大马士革工艺!
后期发展成三层工艺，中层抹灰通常有“软底脚”“硬底脚”之分。上海工匠创造性地运用“软底脚”，即纸筋石灰膏，它价廉又牢固。其次，上海工匠选用各类石子作为骨料，常用的有花岗岩，有些地方采用玻璃碎、贝母、煤粒等，色彩丰富，种类多样。整体像一个“三明治”，结构坚固耐久。如此一来，采用花岗岩作为骨料的...
技术工艺:晶圆级封装的关键工艺——硅通孔 半导体封装的四个主要作用,包括机械保护、电气连接、机械连接和散热。封装的形状和尺寸各异,保护和连接脆弱集成电路的方法也各不相同。 半导体封装的分类 半导体封装方法,大致可以分为两种:传统封装和晶圆级(Wafer-Level)封装。传统封装首先将晶圆切割成芯片,然后对芯片进行封装...
圆片级封装, 就是在硅片上依照类似半导体前段的工艺, 通过薄膜、光刻、电镀、干湿法蚀刻等工艺来完成封装和测试, 最后进行切割, 制造出单个封装成品。优势：封装工艺简化以及封装尺寸小。5.3 SOC & SIPSoC是System on Chip的缩写，称为系统级芯片，也有称片上系统，主要就是将一个系统能够实现其功能需要的各个模块...