FCC晶体的层错有两类：01 内禀层错(抽出型层错)相当于在正常堆垛顺序中抽出一个B层原子 02 外禀层错(插入型层错)相当于在正常堆垛顺序中插入一个B层原子 所以我们有时会在透射电镜下同一区域观察到层错与孪晶。Tip：上述两种层错导致{111}面对应的倒易点沿<111>方向拉长为倒易杆，其衍射效应是拉长的衍射...
简单的说,层错是在密排晶面上缺少或多余一层原子而构成的缺陷,层错是一种“面缺陷”。层错也是硅晶体中常见的一种缺陷,层错对器件制备工艺以及成品性能都可以发生较大的影响。生产中最熟悉的是硅外延片中的层错。在硅外延生长时,如果不采取特殊的措施,生长出的外延层中将含有大量的层错,以致严重的破坏了晶体的...
解析 当一全位错分解成两个不全位错时,这两个不全位错之间的区域即为层错。层错是面缺陷。层错能越高时,扩展位错的宽度越小,越有利于扩展位错的束集;反之位错束集越困难。因此易于束集的扩展位错,对于螺位错的交滑移运动,以及与其它位错的交割运动都很有利。 null...
堆积层错，简称层错，是指在正常堆积顺序中引入不正常顺序堆积的原子面而产生的一类面缺陷。简介 堆积层错（简称层错）是指正常堆积顺序中引入不正常顺序堆积的原子面而产生的一类面缺陷。层错有两种基本类型，即抽出型层错和插入型层错。结构 以面心立方结构为例，前者是在正常层序中抽去一原子层，相应位置出现...
层错 [céng cuò] 释义 fault 责任; 错误; 缺点; (地壳)断层; 发球失误; 实用场景例句 全部 Most of the partial dislocations bounding the faults are elongated loops oriented at 〈011〉. 绝大部分层错的边界位错是沿〈011〉分布的肖克莱偏位错环,其中30°的a/3 〈112〉超肖克莱位错处于固定状态. ...
层错 层错是面缺陷的一种，层错可以通过多种物理过程形成。在晶体生长过程中，原子以不正常顺序堆堆积时的能量和以正常顺序堆积时的能量相差很小，偶然因素很容易造成错误堆积从面形成层错。此外，过饱和点缺陷在密排面上的聚集，再通过驰像过程也可以形成层错。点缺陷为空位时，形成的是抽出型层错，如果点缺陷...
1. 层错是晶体中相邻晶面的错排，主要由晶格平面的滑移所引起。2. 层错的产生是因为晶格面在晶体内发生部分滑移，导致晶体中某些晶片位置发生了错位。3. 层错可以分为位错线、位错面和位错环等不同类型，并会在晶体中形成一系列相互关联的位错。4. 位错则是晶体中原子定位的错乱，主要由于晶格中的...
在fcc晶体中，层错区域以部分位错为界，由两个具有六方致密排列(hcp)结构的原子平面组成。Suzuki等人研究表明，该区域溶质的平衡浓度可能与平均体积浓度不同。溶质向或从层错区偏析或耗尽，改变了SFE，进而影响位错行为。而这种现象，已在许多合金体系中广泛观察到。随着合金的成分变得更加复杂，例如，在不锈钢或高温...
百度试题 题目[名词解释] 层错 相关知识点: 试题来源: 解析 正常堆垛顺序被扰乱出现堆垛层错 反馈 收藏