百度试题 题目【名词解释】寄生振荡 相关知识点: 试题来源: 解析 寄生振荡(parasitic oscillation),与正确工作频率不一致的振荡称为寄生振荡,即与工作频率无关或不在工作频率范围内的源于寄生参数的振荡。反馈 收藏
此外，用于钳制FET VGS闸极电压的稽纳二极体也会增加寄生电容（尽管远小于功率场效电晶体的CISS）。图1展示了一个典型的PowerPath控制器。当电路进行某种转换后（如图2所示），其与考毕兹振荡器（Colpitts oscillator）的相似性便凸显出来（如图3所示）。这是一个通过增加增益来形成谐振的电路，能够稳定地产生持续的...
回到基本的NFET Colpitts振荡器,引入可切换栅极电阻后,可观察到RGATE的阻尼效应(见图12)。当从0 Ω逐步增至10 Ω时,振荡会衰减,如图13所示。 图12.基本NFET Colpitts振荡器,添加了可切换RGATE 图13.示波器图显示,随着RGATE逐步增加,振荡逐渐消失 结论 本文介绍了寄生FET振荡的理论,通过工作台实验验证了Colpitts模...
寄生振荡 例如胆机的正反馈引起的干扰 一台胆机由多个真空管组成，各级的电路和元件之间不可避免地存在着电的、磁的和电磁 的等等寄生反馈，通过这些反馈会把这些输出信号耦合到输入级的控制栅极。众所周知，这种 寄生反馈会使放大器的技术指标和性能变坏，甚至使放大器失去放大能力。所以在胆机里，所 有各级电路的...
在系统或电路中的波动,特别是那些由交替地在相反方向流动的电流组成的波动;电压的相应变化也是这样。或者说,重复地周期性的动作或严格保持周期性的状态。在电路中产生不应有的振荡是不利的。 寄生振荡是指在与工作频率不同的频率上出现的不需要的自励振荡,或者是在振荡器和放大器中出现的一种不需要的振荡。
使用高端N沟道MOSFET开关的热插拔器件在启动和限流期间可能会发生振荡。虽然这不是新问题,但数据手册通常缺少解决方案的详细信息。如果不了解基本原理,只是添加一个小栅极电阻进行简单修复,可能会导致电路布局容易产生振荡。本文旨在解释寄生振荡的理论,并为正确实施解决方案提供指导。
移相全桥ZVS变换器整流桥寄生振荡的抑制 1引言 移相全桥零电压开关PWM变换器(PS-FB- ZVS-PWM converter)利用变压器的漏感或原边串联电感和功率管的寄生电容或外接电容来实现零电压开关,同时又实现了PWM控制。该变换器电路结构简洁,控制电路简单,是中大功率直直变换场合的理想电路拓扑之一[1]。
补偿电路,顾名思义,主要是通过对原电路特性进行调整从而达到消除寄生振荡地目的。常见的补偿方法有多种其中最常用的是通过引入频率补偿网络来削弱高频噪声的影响。比如设计人员往往会在电路中添加一个低通滤波器。或者通过调整增益带宽的关系来抑制寄生振荡。这些措施通过降低高频信号的增益。致使不必要的振荡信号被抑制到...
消除寄生振荡的方法是减小分布参数:采用体积更小的器件、缩短引线、改变器件在PCB上的排布等。这样可以使寄生振荡回路的频率升高,当频率高至器件的截止频率外时,寄生振荡会因为无法满足正反馈条件而消失。当因PCB布局限制无法缩短器件之间的引线时,可以在引线中串联消振电阻,降低引线的Q值,其最终效果是降低了振荡电路的...
解析功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因与解决方法 功率mosfet 功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。