近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、...
氧化镓(Gallium Oxide, Ga2O3)是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有高击穿电场强度、低理论导通损耗等优点,特别适合于高压、高频和高温的应用场景。相比传统材料如硅(Si)以及第三代半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN),氧化镓在某些性能上表现出更大的优势,如更高的击穿电场强度(高达8 MV/cm)和更低的理论导通...
半导体产业网讯:从西安电子科技大学微电子学院官网获悉,近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功...
氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带,高于第三代半导体碳化硅(SiC)的3.2 eV、氮化镓(GaN)的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压(极强的临界场强)、高效率(更低导通电阻)、大功率、抗辐照等特性。在制造工艺方面,氧化镓晶体可以通过成熟的熔融法生长,相对第三代半导体Si...
氧化镓,禁带宽度为4.9eV,远高于碳化硅(3.2eV)和氮化镓(3.39eV),仅次于金刚石(5.5eV)和氮化铝(6.2eV)。2019年9月,中国半导体事业奠基人黄昆先生诞辰100周年纪念暨半导体学科发展研讨会上将氧化镓、金刚石和氮化铝并称为第四代宽禁带半导体材料。这三种材料中金刚石的产业化难度较大;氮化铝虽然是一种有较大潜力的材...
近日,中山大学王钢教授、陈梓敏副教授、卢星副教授等在宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体材料的压电特性和射频器件应用研究中取得了重要进展,团队首次开发出一种基于ε-Ga2O3半导体材料的射频谐振器,该器件有望取代传统基于AlN半导体材料的射频谐振...
通过将氧化镓与其他宽禁带半导体(如铟镓氧化物(InGaO)和锌镓氧化物(ZnGaO))合金化,可以进一步调整禁带和其他特性以满足特定要求。 在光电子学领域,氧化镓在深紫外发光二极管(LED)和光电探测器方面具有潜在应用。其宽禁带可以在深紫外范围内实现高效发射,这对水净化、消毒和医疗应用非常有用。基于氧化镓的光电探测...
氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8 eV)、击穿场强高(Ebr~8 MV/cm)、Baliga品质因数高(εμEbr3~3444)、生长成本低(可熔融法生产单晶衬底)等突出优点,是用于下一代高压高功率器件(肖特基势垒二极管(SBD)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET))和日盲紫外(波长200−280 nm)光电探测器的优选材料...
更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压(极强的临界场强)、高效率(更低导通电阻)、大功率、抗辐照等特性。在制造工艺方面,氧化镓晶体可以通过成熟的熔融法生长,相对第三代半导体SiC、GaN,可大幅度降低生产成本。基于氧化镓半导体的功率电子器件可在新能源汽车、充电桩、轨道...
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是截止目前氧化镓半导体器件的...