1.一种实现精准套刻的工艺方法,其特征在于,包括: 将需要进行套刻的至少两层光掩模进行逻辑运算,生成包含第一层和第二层所需图形的合集光掩模,所述第一层和第二层分别在原图形每边扩展一定宽度,生成第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模; 提供目标介质层及覆盖其上的硬掩模层,利用半导体光刻工艺先将合集光掩模...
3、一种可实现8英寸转6英寸并精准套刻的ic工艺方法,其包括以下步骤: 4、s1、在8寸硅片上设计多组划片对位标记,并采用8寸工艺线制作器件需采用8寸工艺线的部分; 5、在设计时,划片对位标记嵌入芯片内,标记的形貌为6寸线套刻(asml对位)标记,并根据芯片大小及分布规则计算划片对位标记在硅片上的相对位置。划片对位...
27、先进过程控制系统,连接所述处理器和所述生产执行系统,用于接收所述生产执行系统传输的所述当前批次套刻精度量测数据,并根据当前批次晶圆的所述当前批次套刻精度量测数据计算当前批次光刻补值数据,且将所述当前批次光刻补值数据传输至光刻机台,所述当前批次光刻补值数据用于对下一批次晶圆的光刻工艺进行套刻精度...
本发明中,通过在前层和当层光罩上加入前层辅助图形和当层辅助图形,并在前层辅助图形和当层辅助图形之间增加一道光刻、刻蚀工艺将有前层辅助图形区域的其他覆盖膜层打开,可以在离子注入光刻层次以CD-SEM量测的方法获得准确的当层辅助图形相对于前层辅助图形的套刻精度,并以此作为基准,从而较为准确的评估不同套刻精...
因此阴版刻蚀法制造薄膜电阻,一般先将套刻掩膜版与上一层微结构图形这两者上的“对准标记”对准,进而观察两者上的图形是否套准,如发生错位,进行微调处理,待图形完全套准后再进行曝光等后序工作。该方法套刻电阻时使用的掩膜版为阴版,即掩膜版上的大部分是遮光区,只有一小部分是透明。掩膜版上大面积的遮光区使得...
光刻工艺是晶圆制造中非常精细一个流程,为保证曝光精度,必须要考虑如下哪些参数 ( ) ( A )特征尺寸 ( B )分辨率 ( C )套刻精度 ( D )工艺宽容度A.特
1、本发明的目的在于提供基于idm套刻误差量测的对准标记结构及形成方法和工艺,以解决现有idm套刻误差量测中对准标记结构在光刻过程会导致对准标记区域受损,进而导致asr标记键无法起到对准作用的问题。 2、此外,本发明还提供上述对准标记结构的形成方法以及包括上述对准标记结构的半导体器件制备工艺。
1.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种表征自对准成像工艺套刻误差量测准确性的testkey及应用方法。 背景技术: 2.现有套刻误差的量测方式ibo/dbo都为间接量测,需要设计不同的标记(mark),并利用直接量测的结果对这些mark进行评估,确认其量测准确性。常用的评估方法是与sem ovl mark的结果进行比对,sem ovl ...
一种实现精准套刻的工艺方法,包括: 将需要进行套刻的至少两层光掩模进行逻辑运算,生成包含第一层和第二层所需图形的合集光掩模,所述第一层和第二层分别在原图形每边扩展一定宽度,生成第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模; 提供目标介质层及覆盖其上的硬掩模层,利用半导体光刻工艺先将合集光掩模的图形传导到所...