集微网消息，上周，2014年诺贝尔奖得主、名古屋大学教授天野浩，面对台湾产业进行了一场深度演讲。天野浩充满理想地宣示，“要善用LED的原料氮化镓（GaN），来持续改变世界”，有别于一般人对于LED就是照明的印象。天野浩指出，目前LED占全球七成多的光源，相比于传统灯泡（日光灯等），每年省下了约950亿度电，与日本...
天野浩(Hiroshi Amano),1960年9月11日出生于日本静冈县滨松市,毕业于名古屋大学,是日本的电子工程学专家,现任名古屋大学工学研究科教授。2014年,时任名古屋大学教授的天野浩,因"发明高亮度蓝色发光二极管",与赤崎勇和中村修二共同获得了2014年诺贝尔物理学奖。天野浩在名古屋大学完成了从本科到博士的全部学业。1983年,他...
近日，名古屋大学天野浩团队发现，在GaN晶圆上沉积金属Mg后退火，可以在GaN表面形成极其独特的单原子层Mg周期性插入GaN的现象。研究人员称其为2D-Mg嵌入GaN式超晶格（MiGs）结构。这项新结构的发现，涉及了半导体材料新型掺杂机制和薄膜材料新型形变机制。该研究于《Nature》6月5日线上刊载。图1. 2D-Mg嵌入GaN式超晶...
-2021- 09/30 10:43 2014年诺贝尔物理学奖获得者、高效蓝色发光二极管(LED)发明者、中国工程院外籍院士、名古屋大学教授天野浩受邀参加2020年纳博会,并对纳博会给予肯定。 举报 责编:岳芳青 环球网版权作品,未经书面授权,严禁转载或镜像,违者将被追究法律责任。
Hiroshi Amano 天野浩 (诺贝尔物理学奖得主) Nagoya University, Japan 2025年1月14日(周二) 10:00 北京大学英杰交流中心阳光厅 点击"阅读原文"进行报名 Let’s work together to build a sustainable world with GaN Abstract I would like to fo...
该论文着重归纳总结了天野浩团队在“二维镁嵌入氮化镓式超晶格”这一自发形成的新材料结构,并展示了该结构对于半导体掺杂机制和薄膜材料形变机制的启发,同时也指出了该方法对半导体器件的应用和未来的研究方向。 背景介绍 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料和Ⅲ族氮化物的代表,凭借其宽禁带和直接带隙等特性,在LED照明和...
·研究亮点——2D-Mg（2024年）近期，名古屋大学天野浩团队又有重要发现：在GaN晶圆上沉积金属Mg并进行退火处理后，可在GaN表面形成一种独特的单原子层Mg周期性插入GaN的现象。该现象被研究人员命名为2D-Mg嵌入GaN式超晶格（MiGs）结构。此项研究不仅揭示了半导体材料的新型掺杂机制，还探索了薄膜材料的新型形变机制。...
【环球时报记者 邢晓婧】因发明高亮度蓝色发光二极管(LED)而获得2014年诺贝尔物理学奖的日本学者天野浩,现为名古屋大学工学研究科教授。天野浩出生于1960年9月11日,靠勤奋和名师指点取得科研成就,30岁时即实现电子工程的重大突破。近日,天野浩在接受《环球时报》记者采访时表示,做研究,要有敢于挑战无人涉及领域的精神。
2014年,天野浩与加州大学圣巴巴拉分校工学部教授中村修二、名古屋大学名誉教授赤崎勇共同获得诺贝尔物理学奖。获奖理由是 “发明了可实现高亮度白色节能光源的高效蓝色发光二极管”。 天野浩作为一名模范研究人员,在日本也是非常受欢迎的学者。他总是面带微...
2025年1月13日,诺贝尔物理学奖得主、日本名古屋大学教授天野浩到访北京大学,接受北京大学名誉教授称号。北京大学党委书记、校务委员会主任郝平在临湖轩会见来宾,并出席授予仪式。海思原总裁、华为原董事、华为战略研究院原院长徐文伟,党委常委、副校长方方参加活动。