常用场效应管型号及参数 2SK30A场效应管,其导通电阻相对较低。IRF840是一款在功率应用中表现出色的场效应管。2N7000的输入电容较小,适用于高频场合。BUZ11A场效应管,具有较高的耐压值。IRF640N在中功率电路中常被采用。4N60场效应管,漏极电流较大。IRF9540具备良好的开关特性。2SK117的噪声系数较小。 MTP3055V在...
场效应管选型参数 在场效应管（FET）的选型过程中，除了考虑基本的电气特性如漏极电流（Idss）、栅极阈值电压（Vth）和跨导（gm）外，还需细致分析以下几个关键参数，以确保所选器件能完美匹配应用需求。首先是击穿电压（BVdss），它决定了FET在承受最大漏极-源极电压时的可靠性。对于高压应用，选择一个具有高BVdss...
- 最大功耗:PD 静态特性参数: - 参考漏电流:ID(on) - 输入电容:Cin - 输出电容:Cout 以上是常用场效应管型号参数表的部分内容。不同的场效应管型号具有不同的参数值,选择合适的型号可以满足具体的应用需求。建议将参数表打印出来,方便实际应用时查询。 【结尾】本文介绍了常用场效应管型号参数表,包括静态特性...
NMOS参数型号 40N02的电特性: (如无特殊要求,TA=25℃) NMOS参数型号 40N02的参数特性曲线图: NMOS参数型号 40N02的封装外形尺寸图: 一直专注于半导体器件的应用服务,代理分销各品牌的可控硅,集成电路,场效应管等半导体器件! 经过多年磨合,积累了丰富的半导体从业经验,且打造了一支具有高水平的技术队伍。公司以...
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS高速功放开关60V12A40W ...
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。为帮助大家深入了解,本文将介绍关于场效应管(FET)型号及主要参数表达含义。 场效应管主要参数含义 Idss - 饱和漏源...
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET），主要分为两种类型：结型场效应晶体管（Junction FET，JFET）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）。这类器件以多数载流子为主导电，也被称为单极型晶体管。作为电压控制型半导体器件，场效应管具备高输入电阻（10^7...
1、场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W*NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W*NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W*NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V...