根据普通晶闸管的结构(忘记的可以去我之前的文章晶闸管工作原理详解里面查看),可以知道晶闸管(可控硅)栅极G和阴极K之间有一个PN结,具有单向导电特性,有两个相反的PN结极性串联在阳极 A 和栅极之间。 因此,用万用表的R×100或R×1k Q电平测量普通晶闸管管脚间的电阻,可以确定三个电极。 具体方法:用万用表的黑色表...
反向测量法也是一种常用的可控硅测量方法。反向测量法的原理是通过正向和反向测试可控硅的电压,以确定其性能。反向测量法可用于测试可控硅的正向和反向电压。在反向测量法中,我们需要将可控硅的主导端口连接到正向电压源,并将另一个端口连接到反向电压源。通过这种方式,我们可以测量可控硅的正向和反向电压。 3.串联测...
测量过程中需确保电流表与导线的接触良好,避免接触不良导致测量误差。 注意电流表的安全量程,避免电流过大损坏电流表。 3. 触发脉冲测量 步骤: 使用示波器等测量工具,将示波器的探头接在可控硅的控制端子(G)上。 打开电源,使可控硅整流器开始工作。 通过示波器观察可控硅的触发脉冲波形,分析其频率、幅值等参数。 注...
1. 电压测试:将万用表调至电压档,测量可控硅的阳极与阴极之间的电压。在正常情况下,未触发时阳极与阴极之间的电压应该为无穷大(即开路状态)。如果测量结果显示电压值较小或有波动,那么可能说明可控硅存在漏电或击穿等问题。 2. 电阻测试:将万用表调至电阻档,分别测量可控硅的阳极与阴极之间、阳极与控...
1.电流测量:可控硅的最重要参数之一是最大额定电流。为了测量可控硅的电流,可以使用电流表或电流传感器。通过将电流表或电流传感器与可控硅并联,可以直接测量通过可控硅的电流。 2.电压测量:另一个重要参数是最大额定电压。为了测量可控硅的电压,可以使用电压表或电压传感器。通过将电压表或电压传感器与可控硅串联,可以...
本文将详细探讨可控硅测量方法,包括可控硅的基本原理、测量参数以及常用的测量方法。 二、可控硅的基本原理 可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件,由PNPN结构组成。它具有三个电极,即阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。当控制极施加一个正向触发脉冲时,可控硅将进入导通状态;当施加一个负向触发脉冲或去掉正向触发...
在判别单、双向可控硅时，我们可以先任选两个极进行测量。若正、反测指针均不动，则可能是A、K或G、A极（对单向可控硅），也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下的即为A极。若正、反向测批示均为...
测量可控硅晶闸管的好坏，通常可以通过检查其正向和反向电阻、触发特性以及开关特性等方法进行。若正向电阻较小，反向电阻很大，且触发特性和开关特性均正常，则可判定该可控硅晶闸管为良好状态；反之，若上述特性出现异常，则可能表示可控硅晶闸管已损坏或性能不佳。二、测量方法详解 正向和反向电阻测量 首先，使用万用表...
可控硅的测量方法有：（1）电阻法，利用可控硅两端所加的直流电压和电流来测其伏安特性。（2）电桥法，利用可控硅两端加正弦交流电压或电流时所产生的内阻抗变化来进行测量。（3）电位差计法，利用可控硅在静态时产生的电位差进行测量。（4）压阻效应法，将一个可调电阻接于被测器件两端的控制电极上而另一个可调...
二、可控硅测量方法 1. 静态特性测量 静态特性是指在固定的电压和温度条件下,测量SCR的电流-电压关系曲线。这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。首先将SCR放入测试夹具中,并连接到直流电源上。然后逐步增加阳极到阴极的电压,并记录相应的电流值。最后将数据绘制成I-V曲线图。 2. 动态特性测量 动态特性是...