且看物理所论文所用“斜率”就是“电阻率
通过测量样品的磁化强度温度 (M T)曲线,电阻率温度(ρT)曲线及磁电阻温度(MR T)曲线,研究了Dy掺杂(0.00≤x≤0.30)对La0.7-xDyxSr0.3MnO3体系磁电性质的影响.实验发现:随Dy掺杂量的增加,体系 的磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态,反铁磁状态转变.x为0.20,0.30时的低温磁行为发生异常,电行为存在低温电...
其中AH，XX为下标，2为上标平方。σAH为反常霍尔电导率 ρAH为反常霍尔电阻率 ρXX为纵向电阻率。
研究了a-Ge/Pb叠层膜不 同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm /100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶.解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为.关键...
pxx属于弹性辐射机理，如果遵守pxy~pxx的二次方属于內禀和边跳机制，但是本人困惑的是：横向电阻率pxy...
具体地说,设器件受到离子轰击的程度为b,当0≤b<bc 时,样品在有限温度下发生超导转变,体系为超导相(SC);当bc<b<bc2 时,样品电阻率随温度的减低而减小,且在温度趋于零时趋于一个非零的有限值,处于反常金属相(AM)区域内;当bc2
非晶态(Fe1-xCox)78Si9.5B12.5合金的低温电阻率反常 用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe1-xCox)18Si9.5B12.5(x=0—1.0)合金的电阻率.结果表明,x=0—1.0的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值.电阻率极小值温度Tmin随Co含量x的增加而增加,在x=0.9时出现极大值.在Tmin温度以下,电阻率与...
3) anomalous electric resistivity 反常电阻率4) low room temperature resistivity 低室温电阻率 例句>> 5) minimum electrical resistivity phenomenon at low temperature 低温电阻率极小 1. Intrinsic abnormal minimum electrical resistivity phenomenon at low temperature was observed in Perovskite like La 1/...
中的Lifshitz相变附近的从内禀到外禀反常霍尔效应的机制转换。温度诱导的Lifshitz相变表现为普通霍尔电阻率在100 K左右的极性翻转,表明了费米面拓扑结构的重要改变。此外,LiMn?Sn?在100 K以下表现出外禀机制的反常霍尔效应,这可能是基于自旋团簇的斜散射增强效应,反常霍尔电导率与纵向电导率成二次比例关系,从而获得...
通过测量样品的磁化强度-温度曲线,电阻率-温度曲线及磁电阻-温度曲线,研究了Dy掺杂(0.00≤x≤0.30)对La0 7-xDyxSr0.3MnO3体系磁电性质的影响.实验发现,随Dy掺杂量的增加,体系磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态,反铁磁状态转变;x=0.20,0.30时的低温磁行为发生异常,电行为存在低温电阻率极小值现象.这些奇特...