双极扩散长度la通常是通过计算半导体中掺杂离子的扩散系数以及扩散时间来确定的。具体而言,我们可以使用以下公式来计算la: la = (D * t) ^ 0.5 其中,D表示离子在半导体中的扩散系数,t表示离子在半导体中扩散的时间。根据这个公式,我们可以通过调整扩散时间或扩散系数,来精确控制双极扩散长度,从而实现更好的器件性能...
半导体双极扩散是指将掺杂不同类型材料的半导体片放在高温环境下进行加热,使材料中的杂质原子扩散到半导体片内部,从而改变半导体的导电性质。其物理原理在于掺杂材料的原子与半导体晶格的原子发生化学反应,形成了新的化合物,从而改变了材料的电子结构。这种反应需要特定的温度和...
7.6 载流子的漂移运动、双极扩散1 7.6.1 浓度梯度引起的自建电场 -热平衡状态 dn (x ) -n型半导体,掺杂不均匀 J n扩 qDn 0 dx -n (x)梯度引起扩散电流 0 J qn E n漂 0 n 自 -电中性条件破坏,引起自建电场 -考虑漂移电流 热平衡状态 J J 0 n=n (x) n扩 n漂 0 E 自 D ...
双极型三极管是一种具有三个电极的半导体器件,包括发射极、基极和集电极。其工作原理主要依赖于PN结的特性,通过控制基极电流来调节发射极和集电极之间的电流。 二、多子扩散现象在双极型三极管中的应用 在双极型三极管中,多子扩散现象起着至关重要的作用。所谓多子...
规范用词双极扩散 英文翻译ambipolar diffusion 所属学科物理学>等离子体物理学 名词审定物理学名词审定委员会 见载刊物《物理学名词(第二版)》 科学出版社 公布时间1996年 等离子体物理学 的上级学科 物理学
在输出阶段使用双扩散金属氧化物半导体(DMOS)场效应晶体管(FET),实现高效率和高输出电流。 自发明起,双极型晶体管40年来广泛用于各类应用。双极型晶体管需要大输入电流,因此有时需由辅助电路驱动双极型晶体管。 相较于双极型晶体管阵列,新型双扩散金属氧化物半导...
扩散电容是指PN结扩散区的载流子在PN结中扩散时形成的电容。在双极型晶体管中,发射结扩散电容是影响其高频性能的重要因素之一。发射结扩散电容的大小与扩散区面积和载流子浓度有关,一般来说,扩散区面积越大,载流子浓度越高,扩散电容就越大。 二、扩散电容的计算方法 发射结扩散电容的计...
半导体物理-载流子的漂移运动、双极扩散 连续性方程
双极型三极管,作为电子学中的基础元件,其核心工作原理依赖于内部载流子的运动。在讨论其导电机制时,多子扩散与多子漂移是两个不可忽视的方面。 一、多子扩散:正向偏置下的主导机制 在双极型三极管中,当发射结(基极-发射极)和集电结(基极-集电极)...
双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?相关知识点: 试题来源: 解析 七次光刻:N+隐埋层扩散孔光刻; P+隔离扩散孔光刻;P型基区扩散孔光刻;N+发射区扩散孔光刻;引线接触孔光刻;金属化内连线光刻;压焊块光刻; 四次扩散:隐埋层扩散;P型隔离扩散;P型基区扩散;N+发射区扩散...