单晶体从液相中生长出来，按其成分和晶体特征，可以分为三种：1．晶体和熔体成分相同。纯元素和化合物属于这一种，由于是单元系，在生长过程中晶体和熔体的成分均保持恒定，熔点不变。如硅、锗、三氧化二铝等容易得到高质量的单晶体，生长速率也允许较快。2．晶体和熔体成分不同。为了改善半导体器件单晶材料的电学...
而单晶生长方法是实现单晶体生长的关键。 一、凝固法生长单晶 凝固法是一种常用的单晶生长方法,它通过控制溶液的冷却速度和晶体生长界面的温度梯度来实现单晶体的生长。凝固法主要包括自由凝固法、拉扩法、Bridgman法、Czochralski法等。 1.自由凝固法 自由凝固法是将溶液置于恒温器中,通过自由凝固来实现单晶体的生长...
SiC单晶作为一种硬脆材料,对于加工环节的技术要求也很高,各生产环节中产生的损伤都有可能具备一定的遗传性,传递到下一道工序,最终影响产品质量,因此高效加工SiC衬底的技术也备受产业、学术界关注,而关于碳化硅(SiC)结构及生长技术的详细相关知识也可查阅:碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解; - 知乎 (zhihu.co...
单晶生长原理 从过饱和度角度。 形成过饱和状态:这是单晶生长的前提条件。可以通过多种方法来实现,如改变温度、压力、溶液浓度等。以溶液法为例,升高温度使溶质在溶剂中充分溶解,形成较高浓度的溶液,然后缓慢降低温度,由于溶质的溶解度随温度降低而减小,溶液就会进入过饱和状态。在这种状态下,溶质有从溶液中析出并...
📚有机化合物长单晶的生长,是个需要耐心和细心的过程。今天,我想和大家分享一些我的经验,希望能帮到正在进行这项工作的朋友们。🌬️溶剂缓慢挥发法:这种方法是依靠溶液的不断挥发,让溶液从不饱和状态达到饱和,再到过饱和状态,从而析出单晶。特别适合那些容易结晶的物质。你可以用橡胶塞封住容器,插根细针头,让...
但3C-SiC基晶体管进展缓慢，主要是缺乏单晶衬底。前期大量研究表明，3C-SiC在生长过程中很容易发生相变，已有的生长方法不能获得单一晶型的晶体。根据经典晶体生长理论，对于光滑界面晶体，同质二维形核需要克服临界势垒，存在临界Gibbs自由能或过饱和度，而生长则可以在任意小的过饱和度下进行。对于异质形核，由于引入了...
图1:升华法制备SiC块状单晶生长示意图 升华法目前被广泛用于SiC单晶的制备,但与Si单晶生长用融液作为原料的方法相比,其生长速度较慢,虽然品质在逐渐改善,但晶体中仍含有许多位错等问题。 除了升华法以外,还有通过溶液的液相生长法、气相生长高温CVD法等方法来尝试制备SiC块状单晶。图2展示了SiC单晶的液相生长法示意图...
随着PVT 法制备 SiC 单晶技术的不断发展,高纯 SiC 粉体的质量成为制约 SiC 单晶生长的重要因素。目前合成单晶生长用高纯 SiC 的方法并不多,以 CVD 法和改进的自蔓延合成法为主。CVD 法合成的 SiC 粉体纯度高,粒径小,能够较好地满足 SiC 单晶生长的需求,然而其合成速率较低,产量少,现阶段无法满足工业生产的...
在单晶生长过程中,通过控制温度、压力和溶液成分等条件,使得原子或分子按照一定的排列规律逐渐从无序状态转变为有序的单晶结构。 单晶生长的基本原理是利用种子晶体或者某种特定方法形成结晶核,并通过在其上加热或者降低温度、减小溶液浓度等方式提供足够驱动力,使原子或分子从溶液中逐渐沉积在结晶核上,并按照晶格结构...