卓以和(Alfred Y.Cho)，1937年出生于北京，是一位杰出的美国华裔电机工程学家。1949年，他移居香港，并在著名的培正中学求学。1955年，他远赴美国继续学业，于1968年在伊利诺伊大学获得了博士学位。他目前担任美国贝尔实验室半导体研究所的副所长，享有崇高的学术地位。1985年，卓以和因其在科研领域的杰出...
卓以和请妈妈陪同进白宫领奖,他说:“她非常骄傲。” 之后的十几年间,分子束外延研究获得长足发展,在激光、医学检测、环境分析、半导体制造等方面得到广泛应用,令卓以和在2007年再度获得美国国家科学奖章并获得国家技术奖章。 2007年7月27日,时任美国总统乔治?布什在白宫...
卓以和(Alfred Y.Cho，1937年— )，汉族，美国华裔电机工程学家。1937年生于北京，1949年赴港，曾就读于培正中学。1955年赴美留学，1968年获伊利诺伊大学博士学位，现任美国贝尔实验室半导体研究所副所长。1985年获选为美国科学院院士，1996年为中国科学院外籍院士。曾于1993年获颁美国科学家最高荣誉的...
2009美国专利商标局国家发明家名人堂名单出炉,华裔科学家卓以和入选。(美国《世界日报》) 2月11日,美国专利商标局(USPTO)公布本年度入选全国发明家“名人堂”的名单,现年72岁的华裔电机工程学家卓以和,连同另外14名在世或已故科学家齐齐登上“名人堂”。
中国侨网消息:据台湾《联合报》报道,美国专利商标局“国家发明奖名人堂”今年度入选者颁奖典礼当地时间5月2日在加州山景城“计算机历史博物馆”举行。贝尔实验室半导体研究副总裁卓以和(Alfred Cho)是今年唯一获奖的华裔科学家,他也是继个人计算机先驱王安之后第二位入选此名人堂的华裔。
卓以和教授在国际上享有盛誉，他是分子束外延、人工微结构材料生长以及新型器件研究领域的奠基人和拓荒者。他专注于Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延以及人工结构，如量子阱、超晶格和调制掺杂微结构材料，进行了开创性的研究工作。在他的领导下，与美国贝尔实验室半导体研究所的同事们合作，...
在中国科学与人文论坛上,美国AT&T公司贝尔实验室半导体研究所所长卓以和表示: 从事科学研究要学会冒险探索 10月11日,由中科院研究生院和高等教育出版社主办的“中国科学与人文论坛”第66场主题报告会在京举行。美国AT&T公司贝尔实验室半导体研究所所长、美国科学院院士、美国工程院院士、中国科学院外籍院士卓以和教授在...
1993年，卓以和教授更是荣获了美国科学家的最高荣誉——国家科学奖章，这是对他科研成就的极高认可。1996年6月7日，他当选为中国科学院外籍院士，这一系列的荣誉见证了他在科学领域的杰出地位。2009年2月11日，卓以和的名字再次被历史铭记，他入选了美国专利商标局(USPTO)年度“全国发明家名人堂”。
中新网达拉斯3月2日电 (刘景胜 王欢)第12届美国亚裔工程师年度颁奖大会(AAEOY)2日晚在美国得克萨斯州的达拉斯市举行,大会向美国科学院院士、中国科学院外籍院士卓以和等19人颁发奖项,表彰亚裔对美国社会的突出贡献。 美国总统奥巴马发来贺词,称赞获奖者勇于寻梦、探索和为实现梦想所做的辛勤努力。这些努力将激励年...