集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。《半
ALE atomic layer etching 原子层刻蚀 ALD atomic layer deposition 原子层沉积 AR aspect ratio 深宽比 ARDE aspect ratio dependent etching 深宽比相关刻蚀 BARC bottom antireflective coating 底部抗反射涂层 BCA binary collision approximation 二元碰撞近似 BEOL back end of line 后段工艺 BPS bounded plasma sy...
根据使用的粒子和能量源以及它们是否同时或顺序地与表面相互作用,干法刻蚀技术可分为热刻蚀、热各向同性原子层刻蚀(ALE)、自由基刻蚀、定向或离子辅助ALE、反应离子刻蚀(RIE)和离子束刻蚀(IBE)。我们将在第2.9节介绍刻蚀技术的分类。 半导体器件的刻蚀工艺形成3D结构,可以由几种不同的材料组成。刻蚀先进半导体器件时,...
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。 本书涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展,以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例,例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀,而不是试图全面描述工艺挑战和解决方案,有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解...
• 三维存储:在128层3D NAND中实现侧壁损伤<2 nm • 二维材料:MoS2单层蚀刻选择比达1000:1 • 生物芯片:保持蛋白质活性的低温蚀刻(-50℃) 展望未来,随着人工智能芯片和量子器件的快速发展,等离子体蚀刻技术将持续向原子级精度、三维复杂结构和低损伤方向发展。新型脉冲调制技术、机器学习工艺优化算法以及原位检...
在“ALE”框架下讨论了各种刻蚀技术,包括非常慢的RIE工艺、自由基和蒸汽刻蚀。刻蚀界缺乏共识和共同术语阻碍了真正的ALE发展。2014年4月,在关于ALE的Sematech研讨会上,采用了ALE为包含至少两个自限步骤的刻蚀工艺的定义。该定义类似于其对应的原子层沉积(ALD)。ALE采用了ALD中的许多既定概念。将刻蚀过程分离为自限步...
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。《...
根据使用的粒子和能量源以及它们是否同时或顺序地与表面相互作用,干法刻蚀技术可分为热刻蚀、热各向同性原子层刻蚀(ALE)、自由基刻蚀、定向或离子辅助ALE、反应离子刻蚀(RIE)和离子束刻蚀(IBE)。我们将在第2.9节介绍刻蚀技术的分类。 半导体器件的刻蚀工艺形成3D结构,可以由几种不同的材料组成。刻蚀先进半导体器件时,...
《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》笔记.docx,《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》读书随笔 目录 一、内容简述...3 1.1 半导体技术的进步与重要性...4 1.2 干法刻蚀技术的兴起与发展...
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。《...