外电场下半导体球形量子点中的二次斯塔克效应和 极化子效应 摘要 本文在有效质量近似下,研究了无限高势垒球形量子点中杂质态 的量子局域二次斯塔克效应以及极化子效应对杂质态结合能的影响. 首先,在有效质量近似下,利用微扰一变分法研究了GaN球形量 子点中类氢杂质态的结合能及其相应的二次斯塔克能移效应,理论导 ...
单层半导体纳米结构自旋-轨道耦合自旋极化效应可控电子自旋过滤器利用现代材料生长技术纳米厚的半导体可以沿着良好的方向有序生长,形成层状半导体纳米结构.在这种半导体纳米结构中由于结构反演对称性破缺出现较强的自旋-轨道耦合,能有效消除半导体中电子的自旋简并,导致电子自旋极化效应,在自旋电子学领域中具有重要的应用.本文...
本文利用Larsen等人改进的微扰方法,考虑实际异质结势,计及体纵光学声子,两支界面光学声子的影响,从理论上讨论磁场下半导体异质结中极化子朗道能级的基态和第一激发态的能量,获得极化子行为对外磁场的依赖关系,并分弱,强磁场和回旋共振三种情况讨论极化子回旋质量及其压力效应.对Ⅲ—Ⅴ族GaAs/AlAs半导体异质结的计算结果...
在很小的区域内产生高磁场变得更加困难;而光学方法也可以控制自旋态,但它不利于器件的小型化和集成化.因此,通过电学方法注入自旋成为研究的热点之一.稀磁半导体(Ga,Mn)As兼备常规半导体特性和铁磁性,有望用来实现下一代半导体自旋电子器件,因此,我们深入研究了(Ga,Mn)As中电流诱导的自旋极化.本项工作有助于理解...
氮化物半导体耦合量子阱中非线性光整流特性:压电效应与自发极化效应 维普资讯 http://www.cqvip.com
Rashba效应影响下半导体量子点中弱耦合极化子的性质
外电场下球形量子点中杂质态、束缚极化子结合能及其压力效应 本文在有效质量近似下,研究了外电场及流体静压力下有限高势垒半导体球形量子点中杂质态的结合能;利用Lee-Low-Pines(LLP)变分方法研究了外电场下局域和半空间LO声子对... 达来木仁 - 内蒙古大学 被引量: 0发表: 0年 ...
Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的声子平均数
百度试题 题目量子限制斯塔克效应主要发生在具有()的半导体构成的量子阱结构中。 A.压电效应B.极化效应C.铁电效应相关知识点: 试题来源: 解析 A
近年来铁电半导体、铁电铁磁体、铁电超导体、铁电液晶和光铁电体等新型材料的发现,导致利用铁电体的电、磁、光、声、力和热等方面的效应而制成许多功能器件,在现代科学技术各个领域得到广泛的应用。 四方晶系醋酸铅是一种典型的铁电体(它的晶胞参数a,b,c非常接近),它的晶体结构是可以描述为:铅(pb)原子位于晶胞...