——这种由于浓度梯度导致的载流子扩散运动产生的电流称为扩散电流,扩散电流的大小只与浓度梯度有关; 2, 由于扩散运动后,P区留下负离子,N区留下正离子,在PN之间形成内建电场,方向为N区指向P区;内建电场会使P区的“自由电子”向N区移动,N区的“空穴”向P区移动。 ——这种由电场作用使载流子产生漂移运动形成...
点接触型二极管:PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 面接触型二极管:PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 平面型二极管:往往用于集成电路制造工艺中,PN结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。 理想化的两种杂质分布: 突变结:离子注入;轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散。 线性缓变结:中等掺杂到重掺...
图 n型Si中导带电子浓度和温度的关系曲线如果用nn0表示n型半导体中的多数载流子电子浓度,而pn0表示n型半导体中少数载流子空穴浓度,那么n型半导体中 在器件正常工作的强电离温度区间,多子浓度nn0=ND基本不变,而少子浓度正比于ni2,而 ,也就是说在器件正常工作的较宽温度范围内,随温度变化少子浓度发生显著变化,因此...
同理,根据电性相反互相吸引,当电源正极接N区的时候,就会吸引N区的自由电子,负极接P区的时候,就会吸引P区的空穴,从而阻止了扩散运动,使扩散运动接近于零,使得PN结内只存在漂移电流,而漂移电流基本上不随外加电压的变化而变化,所以此时PN结呈现一个很大的电阻,此时称PN结处于截止状态。 PN结加正向电压时,具有较大的...
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2.反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR。 3.反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向...
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流。 PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 PN结的I−V特性 PN结的反向击穿和电容效应 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN ...
表示为:扩散电容:PN 结扩散区内的贮 6、存电荷量会随着外加偏压的变化而变化,相应的电容叫做扩散电容。表示为:电荷贮存效应 :PN结由正偏変为反偏,注入的非平衡载流子并不能立即去除。这种现象称为电荷贮存效应。 其中 隧道击穿:在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴,即有些价电子通过量子力学的隧道效应...
同理，正向联结就是P型区连接电池正极，N型区连接电池负极，此时电流很大，测量得到PN结电阻很小，故...
所以另一方面其实是电子和空穴的运动产生电流不是来源于它们之间的碰撞作用，故在解释的时候用“挤”来...
向导通:呈现低电阻,相当于开关闭合,具有较大的正向导通电流;?PN结加反偏压时,反向截止:呈现高电阻,相当于开关断开,具有 较小的反向饱和电流;PN+-正极负极4.2半导体二极管二极管=PN结+管壳+引线1、结构2、符号3、分类?按 制造的半导体材料分:硅管、锗管?按工作频率分:低频、高频等;?按功能分:检波、整流、开关...