区域熔融法是制备高纯金属、半导体单晶（硅和锗）、无机晶体、感光药品（如卤化银）和有机试剂的一种常用方法。区域熔融原理为：在惰性气氛下，使狭窄的熔区沿着试样连续移动，利用杂质在固体物质（未熔部分）和熔融物质中溶解度差异将杂质分离，达到物质提纯的目的。溶质在固相中的浓度与在液相中的浓度之比称为分布...
通过区熔法提纯后的金属,其导电性、导热性、延展性等性能会得到显著提升,从而提高金属材料的使用价值。 三、区熔法的应用范围 区熔法作为一种高效的提纯方法,被广泛应用于各种金属的提纯过程中,如硅、锗等半导体材料的提纯。这些高纯度材料在电子、光电子等领域具有广泛的应用...
区域熔化提纯法是一种常用于金属材料的提纯方法。这种方法利用材料的差异熔点,通过熔化和凝固过程中的重结晶来分离和去除杂质。 区域熔化提纯法的基本原理是通过控制熔化区域的温度和条件,在高温下熔化材料,然后在较低温下让其重新结晶。这个过程中,杂质元素和材料的主要成分具有不同的溶解度和扩散速率,从而实现了杂质的...
区域熔炼包括水平区熔提纯和悬浮区熔提纯两种方式。 1.水平区熔提纯 水平区熔提纯是将金属锭料水平放置在一个长槽容器中,熔区水平通过锭料。在加热的过程中,熔区沿锭长自左向右缓慢移动,使杂质向右边富集。这种方法适用于杂质分布不均匀的材料。 2.悬浮区熔提纯 悬浮区熔提纯则是将金属锭垂直放置,不用容器盛装...
金属锗的提纯方法主要采用区域熔炼法(简称“区熔法”)。这种方法的基本原理是利用杂质在金属锗中的分布特性来达到提纯的目的。具体来说,金属锗中含有杂质会降低其熔点,而且这些杂质更倾向于在液相中分布。这意味着在熔化锗的过程中,液相中的杂质含量会比固相中更高。相反,当含有杂质的液态锗冷却时,杂质会更多地停留...
区熔法是硅的一种常用提纯方法,也是一种重要的半导体材料生产技术。以下是关于区熔法原理的详细解释。 区熔法的原理基于硅在高温环境下的材料迁移性,即硅在高温时可以在晶体内发生扩散。区熔法将硅材料置于一个特定温度梯度之间,使其局部区域达到熔点,从而产生一个熔化区。该熔化区会沿着硅材料的长度方向移动,并且...
稀土金属的提纯中,区熔精炼法主要用以除去大量非稀土杂质元素,如钙、钾、钠、硅、铁、碳等。如果在真空环境中,区熔精炼法也能除去气体杂质。 2.影响因素 在运用区熔精炼法的过程中,要着重关注以下几个方面:1)熔炼温度。区熔温度不能太低, 以免产生未熔透现象...
探索锗的世界,我们发现了一种神奇的提纯方法——区域熔炼法。🔥 这种方法是锗冶炼的精髓,通过精心控制的加热和冷却过程,将金属锗中的杂质逐步排除,最终得到高纯度的锗锭。🔍 区域熔炼法的原理在于利用杂质在锗中的分布特性。当锗锭被加热时,杂质会倾向于聚集在液相中,而当锗锭冷却时,杂质又会留在液相中,使得...
区熔法炉子:半导体材料提纯的利器 04月15日 一、工作原理 区熔法炉子采用往复区熔的方式,具有闭环温度控制,可以可靠地控制熔区的宽度问题。同时,区熔法炉子还采用高纯石英作为腔室,同时抽真空,将流动高纯氢气通入腔室,以去除腔室中的微量氧,解决氧化的问题。炉子还...