一、化学沉积技术概述 化学沉积技术是一种通过化学反应在基体表面形成固态薄膜或涂层的工艺。其核心是通过控制化学反应条件（如温度、压力、气体组成等），使气态或液态前驱体在基体表面发生化学反应，生成目标材料并沉积。该技术广泛应用于半导体、材料科学、能源、航空航天等领域。（一）发展历程 1.早期阶段（20世纪中叶...
化学气相沉积（CVD）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。一般来说，通过吸附气相前驱体的表面介导反应在基板上形成固体薄膜的任何工艺都叫做CVD.CVD机台 CVD的反应机理是一个复杂的过程，通常取决于反应物和反应条件。一般而言，CVD反应的...
等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。热丝化学气相沉积 热丝CVD采用高温下的低压气相沉积，碳氢化合物在高温下发生化学反应，生成膜先驱物，当样品温度合适时...
化学气相沉积法简介 自从引入二维材料的概念后,化学气相沉积法就被用于制备各种各样的二维材料。 化学气相沉积法是一种典型的自下而上的超薄二维纳米材料制备方法。在制备工艺中,给定的衬底在特殊的气体环境下,基材表面上发生反应形成超薄二维薄片或大面积超薄膜。 这种方法能够生产具有高晶体质量,可扩展尺寸,可调厚度的...
一、化学气相沉积(CVD) 1.原理:化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。 2.过程:化学气相沉积过程分为三个重要阶段:反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱...
根据反应方式的不同,CVD可以分为热CVD、等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,简称PECVD)和低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,简称LPCVD)等几种类型。 热CVD是最常见的一种CVD方法,它通过加热反应器或衬底来提供反应所需的温度。
TEOS是一种常见的化学气相沉积过程中的硅源,一般用来生成SiO2薄膜,这种薄膜可以作为介质层、隔离层、保护层等。 TEOS通过LPCVD或PECVD过程生成二氧化硅的机理: 在LPCVD过程中,TEOS和氧气在一定的温度和压力下在衬底表面发生反应,生成二氧化硅和乙醇。化学反应方程式为: ...
1. 化学溶液沉积法的基础 1.1 基本原理 1.1.1 化学反应机制 化学溶液沉积法的核心在于通过化学反应将前体溶液中的离子或分子转化为固态薄膜。这个过程通常涉及以下几个步骤：溶解：前体材料溶解在溶剂中，形成均匀的溶液。传质：溶液中的离子或分子通过扩散和对流到达基板表面。吸附：离子或分子在基板表面吸附，形成...
化学气相沉积(CVD)被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜,是一种薄膜工艺,其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。一般来说,通过吸附气相前驱体的表面介导反应在基板上形成固体薄膜的任何工艺都叫做CVD. CVD机台 CVD的反应机理是一个复杂的过程,通常取决于反应物和反应条件。一般而言,CVD反应的过程...