PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。 参考答案:小;大;大;小;大;小 点击查看答案进入题库练习 查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧 无需下载 立即使用 你可...
PN结光伏效应―――PN结受光照,产生光生电子空穴对,由势垒产生的内建电场了与内建电场相反的光伏电场使它们在空间分开在结区两侧,而产生电位差的现象 (将空穴拉到P区,电子拉到N区,最后在结区产生与内建电场相反的光生电动势)或说光照使内建电场削弱,相当于产生了与内建电场相反的光伏电场。
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(小),内建电场的最大值就越(大),内建电势Vbi就越(大),反向饱和电流I就越(小)[P20],势垒电容CT就越( 大 ),雪崩
将电源的正极接N区,负极接P区——PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏),外加电场与内建电场方向相同,增强空间电荷区中的电场,破坏扩散漂移运动平衡,漂移运动强于扩散运动,抽取少子。 少子抽取过程 反向电压使势垒区宽度变宽,势垒高度变高。 耗尽区宽度变为 W=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s}{qN_0}(V_{bi}+V...
百度试题 题目PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越 ,内建电场的最大值越 ,内建电势 V bi 就越 ,反向饱和电流就越 ,势垒电容 C T 就越 ,雪崩击穿电压就越 。相关知识点: 试题来源: 解析 短/小;大;大;小;大;低/小
百度试题 题目PN结正偏时,外加电场方向与内建电场方向一致,势垒区加宽。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 B
突变PN结低掺杂侧的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越___,内建电场的最大值越___,内建电势Vbi就越___,反向饱和电流I0就越___,势垒电容CT就越___,雪崩击穿电压就越___。P27相关知识点: 试题来源: 解析 小 大 大 小 大 小
叙述p-n结光伏效应原理。当P-N结受光照时,多子(P区的空穴,N区的电子)被势垒挡住而不能过结,只有少子(P区的电子和N区的空穴和结区的电子空穴对)在内建电场作用下漂移
画出外加正向、反向偏压时p-n结能带图,标出内建电场方向Ein、势垒高度。相关知识点: 试题来源: 解析 答: 在外加电压下,p-n结的能带图(正向偏压VF) 外加电压的电势差与p-n结的接触电势差方向相反,势垒高度由qVD降低为q(VD-VF),势垒宽度减小。 在外加电压下,p-n结的能带图(反向偏压VR)...
关于正向偏压下的pn结,说法正确的包括:A.正向偏压在势垒区产生了与内建电场方向相反的电场。B.正向偏压增大了势垒中的电场强度。C.正向偏压导致势垒区宽度减小。D.正向偏