势垒层材料是指在材料中存在着电子势垒,能够阻止电子发生自由移动的材料。势垒层材料通常由两种不同的材料构成,其中一种材料是电子给体,另一种材料是电子受体。在电子给体和电子受体之间形成的势垒层,能够限制电子的自由移动,从而实现对电子的有效控...
势垒层氮化铝(AlGaN)是一种新型半导体材料,是氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)的合金材料。它的带隙宽度可以通过调整材料中铝和镓元素的比例来调节,从而实现特定的电学特性。势垒层氮化铝具有优异的物理和化学性质,具有较高的热稳定性、阻挡电压、电子迁移率和耐辐照性,是目前...
PN结加正向电压,抽象成电源给电容板充电,这会导致电容上的电荷增加,又由于外加正电增强,会导致耗尽层变窄,也就是说抽象模型中,电源充电同时电容板间距也会发生变化,还有材料性质等共同影响,导致这个电容大小不固定。把这种现象总结下:由于耗尽层宽窄变化引起电荷积累和释放的过程缩等效的电容成为势垒电容。
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此外,光谱研究表明,单层MoS2的内量子效率最高达到65%,而7层MOS2的内量子效率仅仅达到7%。对于实验结果进行分析,并建立理论模型后可知,在石墨烯-单层MoS2-石墨烯异质结的顶部界面和底部界面分别形成了不对称的势垒,这样的结构导致了单层MoS2器件具有极高的光响应特性。
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。 相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称...
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京东方A申请电子产品、碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法专利,能够减小碳纳米管薄膜晶体管的制备方法的源漏电极与半导体层之间的空穴势垒,空穴,半导体,碳纳米管,电子产品,京东方a,超导材料,薄膜晶体管
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