势垒层材料是指在材料中存在着电子势垒,能够阻止电子发生自由移动的材料。势垒层材料通常由两种不同的材料构成,其中一种材料是电子给体,另一种材料是电子受体。在电子给体和电子受体之间形成的势垒层,能够限制电子的自由移动,从而实现对电子的有效控...
势垒层氮化铝(AlGaN)是一种新型半导体材料,是氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)的合金材料。它的带隙宽度可以通过调整材料中铝和镓元素的比例来调节,从而实现特定的电学特性。势垒层氮化铝具有优异的物理和化学性质,具有较高的热稳定性、阻挡电压、电子迁移率和耐辐照性,是目前...
光响应研究结果表明,单层MOS2的光响应远高于7层MoS2,是其的7倍之多。此外,光谱研究表明,单层MoS2的内量子效率最高达到65%,而7层MOS2的内量子效率仅仅达到7%。对于实验结果进行分析,并建立理论模型后可知,在石墨烯-单层MoS2-石墨烯异质结的顶部界面和底部界面分别形成了不对称的势垒,这样的结构导致了单层MoS2器件具有...
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。 相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称...
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PN结加正向电压,抽象成电源给电容板充电,这会导致电容上的电荷增加,又由于外加正电增强,会导致耗尽层变窄,也就是说抽象模型中,电源充电同时电容板间距也会发生变化,还有材料性质等共同影响,导致这个电容大小不固定。把这种现象总结下:由于耗尽层宽窄变化引起电荷积累和释放的过程缩等效的电容成为势垒电容。
Hu、Zhou 和他们的同事率先实现了基于二维层状材料的 wdW 单极势垒光电探测器。此外,他们对单极势垒结构中的暗电流成分进行了系统分析。 未来,这组研究人员创造的光电探测器可用于增强多种传感和成像设备。此外,他们的工作可以激励其他团队使用 2D 分层材料创建类似的光电探测器。
磁隧道结制备方法及凸轮轴传感器,磁隧道结包括:自由磁性层、参考磁性层、绝缘势垒层和中间层,中间层设于参考磁性层背离绝缘势垒层的一侧,中间层包括稳定层,稳定层靠近于参考磁性层设置,其中,参考磁性层的组成材料中包括N 种元素,N 种元素中包括一种非稳定性元素,稳定层的组成材料中包括 M 种元素,M 种元素中包括...
当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为( )。 A.0mA B.毫安数量级 C.无穷大 D.微安数量级 【参考答案】 A 热门试题 判断题 贷款证券化的标的物是流动性较高的资产。()点击查看答案 未分类题 女孩,7个月,因呕吐、腹泻3天入人院。大便10～20次/日,呈蛋花汤样,...
逸出功是指电子逸出材料表面克服原子核的静电引力和偶电层的势垒作用所做的功。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具