势垒层材料是指在材料中存在着电子势垒,能够阻止电子发生自由移动的材料。势垒层材料通常由两种不同的材料构成,其中一种材料是电子给体,另一种材料是电子受体。在电子给体和电子受体之间形成的势垒层,能够限制电子的自由移动,从而实现对电子的有效控...
势垒层:在 PN 结中, N 区电位高于 P 区电位,两区存在接触电位差之缘故。 耗尽层:在 PN 结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散 和复合而消耗掉了之故。 阻挡层:由于 PN 结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。 1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流 IR(sat)的 ...
什么是势垒电容 | 在PN结中,两种不同参杂的半导体接触面的电子空穴发生复合,也就形成了一边带正电,一边带负点的区域,这个其余称作耗尽层。把耗尽层看作绝缘介质,分布在耗尽层两边的电子和空穴就看做电容的两面极板。由此,建立了电容模型。PN结加正向电压,抽象成电源给电容板充电,这会导致电容上的电荷增加,又由于外...
势垒层:在PN结中,N区电位高于P区电位,两区存在接触电位差之缘故。 耗尽层:在PN结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。 阻挡层:由于PN结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。 1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流I的95%时,反向电压是多少 (2) ...
什么是超晶格结构??两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构。两种不...
《肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响研究》是依托山东大学，由林兆军担任项目负责人的面上项目。中文摘要 近些年来，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）一直作为半导体电子器件研究领域的热点而引起人们的广泛关注和极大兴趣。AlGaN/GaN异质结构的肖特基接触是AlGaN/GaN HFET的重要组成部分，肖特基接触金属对...
势垒层是**电子从阴极进入阳极的通道,由高能电子形成的密度很高的区域**^[1][2]^。在两电极间电位差的作用下,多数电子随外加电压产生定向流动,形成电流;而一些能量较高的少数电子可越过势垒到达另一侧,即跨越式迁移或隧穿效应。因此势垒层的存在对晶体管的工作特性有较大影响,确定合适的势垒厚度以及控制入射电子...
什么是超晶格结构?? 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。两...
相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。 反馈 收藏
空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。相关知识点: 试题来源: 解析 答:PN结的形成过程: 当两块半导体结合在一起时,P区的空穴浓度高于N区,于是空穴将越过交界面由P区向N区扩散;同理,N区的电子浓度高于P区,电子越过交界面由N区向P区扩散。多子由一区扩散到另一区时,形成另一区...