Frank分位错是一种晶体中的位错,形成于晶体中原子堆积序列的意外变化。主要有以下两种形成机理: 1.原子错位:当晶体中的原子堆积出现错误时,会形成原子错位。这可能是因为原子在晶体生长过程中受到外界环境的影响,例如温度、压力的变化等,或者是晶体内部的应力集中导致。原子错位会导致晶体中出现Frank分位错。 2.滑移面...
frank分位错的形成机理Frank-Read位错源的形成机理可以理解为: 在滑移面上存在一段边缘位错AB,两端都被位错网络节点所钉住,不能移动。 当剪应力沿垂直方向施加时,位错沿滑移面移动。由于两端固定,所以只能使位错线弯曲。 在应力的作用下,位错经历了不同状态的过程,产生位错环。位错环本身又会变回原来的状态。这样...
百度试题 题目分位错是 相关知识点: 试题来源: 解析 柏氏矢量小于点阵矢量
位错按相对位向分为：刃型位错、螺型位错、混合位错；又有主位错和次位错（晶界位错）之分面心立方中的位错有全位错、不全位错（分位错）、扩展位错；不全位错包括Shockley分位错、Frank分位错、压杆位错（Lomer-cottrell位错锁，L-C阻塞，梯毯杆位错、梯杆位错）
面心立方晶体中面上有的螺位错,若分解为Schockley分位错。(1)试写出位错反应式。(2)已知点阵常数为a=,切变模量G=48000MN/m2,层错能γ=m2,求扩展位错的宽度。(3)层错能的高低对螺型位错的运动有何影响 相关知识点: 试题来源: 解析 解:(1) (2) (3)层错能越高,扩展位错d越小,越有利于扩展位错的束...
（1）表面法（即浸蚀法）：通过化学浸蚀、电浸蚀或热浸蚀，将暴露于晶体颗粒表面的位错显示出来。不同类型的位错，其表现有所差异。（2）缀饰法：在透明晶体内以沉淀颗粒缀饰位错，以显示位错的位置。（3）透射电子显微镜分析：用它可以以极高放大倍率研究从0.1～0.4μm厚度样品中的位错，这是应用...
百度试题 题目单选(2分) 部分位错是相关知识点: 试题来源: 解析 柏氏矢量小于点阵矢量
百度试题 题目位错分 位错和 位错 相关知识点: 试题来源: 解析 刃型、螺旋;螺旋、刃型
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利...
不全位错和部分位错其实是一样的，是不同的叫法，打个比方说，不全位错和部分位错的关系，其实就是土豆和马铃薯之间的关系。