这种电流的瞬间释放往往伴随着能量集中释放,可能引发设备故障或安全事故。击穿电流的强度与介质材料属性、电场分布状态、环境条件存在直接关联。 介质材料在电场作用下失去绝缘性能的过程分为三个阶段。初始阶段表现为介质内部局部电导率增加,形成微安级漏电流。随着电场强度超过临界阈值,介质晶格结构发生电离,载流子浓度呈...
以某型号1N4007硅整流二极管为例,其反向击穿电压标称值为1000V,但在实际应用中常观测到击穿电流在特定条件下的非线性变化。这种现象与半导体材料的掺杂浓度密切相关,当反向偏压超过临界值时,空间电荷区宽度急剧收缩,导致载流子倍增效应。 击穿电流的双重机理 雪崩击穿通常发生于掺杂浓度较低的PN结,当反向电压超过临界值...
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击穿现象是指在电路中,当电压或电流超过一定阈值时,导体内部的电子会获得足够的能量,从而跳出原子轨道,形成电子空穴对,导致导体内部出现电击穿,即电流或电压突破原来的限制,出现异常现象。 二、击穿现象和电流 在电路中,当电流超过一定阈值时,导体内部的电子会获得足够的能量,从而跳出原子轨道,形成电子...
1.电压击穿和电流击穿的区别 电压击穿是指在电间施加电压，当电压增加到一定程度时，电介质突然失去绝缘性能而发生放电现象。而电流击穿则是指当电子、离子等带电粒子在电场作用下获得足够的能量，穿过介质而引起放电现象。因此，电压击穿和电流击穿在物理机制上有所不同，同时也具有不同的实际应用场景。例如，在高压...
击穿电流就是在电场作用下绝缘物内部产生破坏性的放电,绝缘电阻下降,电流增大的现象。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。不均匀电场中,击穿电压与击穿处固体电介质厚度之比称为平均击穿场强,它低于均匀电场中固体电介质的介电强度。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当...
Iz =(1500V/2M)(1.2～1.5)= 0.9～1.1mA取1mA为电流整定值(即击穿(保护)电流报警值)。 2)、根据泄漏电流值选择击穿(保护)电流报警值,境外一些资料提出按产品的泄漏电流来选择击穿(保护)电流报警值。在泄漏电流测试,测量的泄漏电流值可用来计算耐压测试仪的击穿(保护)电流报警值:击穿(保护)电流报警值=(耐压试...
电线击穿时的电流大小并非固定值,而是受多种因素影响的结果。一般来说,电线击穿的漏电流在几百毫安到数千毫安之间。这一范围是基于常见的电线材料和规格,以及在标准温度和大气压下的使用环境所得出的。 具体而言,电流大小取决于电线的导体材料、截面积、长度、绝缘层厚度和介质损耗等因素。例如,铜导线的导电性能...
稳压管的击穿电流并非一个固定的数值,而是受到多种因素的影响。一般来说,稳压管的击穿电流在几毫安到几百毫安之间。这一范围的形成与稳压管的材料、结构、工艺以及电路中的电压、温度等条件密切相关。 二、影响稳压管击穿电流的因素 1. 材料与结构:稳压管的材料和结构决定了其基本的电气特性。不同材料和结构...
测量NMOS栅氧化层击穿电压BVgox,首先在栅电容的一端多晶硅栅上加载DC扫描电压,Vg从0V到12V,另一端PW衬底接地,测试电流Ig,得到Vg在Ig/Area=100 pA/um*2时的值,BVgox=Vg就是击穿电压。 测量PMOS栅氧化层击穿电压BVgox,首先在栅电容的一端衬底上加载DC扫描电压,Vb从0V到12V,另一端多晶硅栅接地,测试电流Ib,...