准分子光刻技术 准分子光刻技术 准分子光刻技术是指利用准分子激光作为光源，通过干法或浸没式的方式实现高分辨率的光刻技术。准分子光刻技术可以用于制造7nm及以上制程的芯片，但难以达到更高的集成度和性能。
准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术,主要包括:特征尺寸为0.1μm的248nmKrF准分子激光技术;特征尺寸为90nm的193nmArF准分子激光技术;特征尺寸为65nm的193nmArF浸没式技术(Immersion,193i)。其中193nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中最为长寿且最富有竞争力的,也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。 传统光刻技术光...
从上世纪80年代开始研究极紫外(EUV)光刻技术起,美、欧、日诸多研究机构和企业历经三十余年研发,终于由荷兰ASML公司率先推出商业化的EUV光刻机,把芯片工艺制程推进到7纳米以下(单次曝光得到的实际物理尺寸最小是13纳米,下一代EUV光刻机能做到8纳米)。 相应地,光刻机的光源从波长193纳米的ArF准分子激光(深紫外,DU...
光刻准分子激光器使用激光作为光源,并通过放大、调谐等技术实现了对激光波长、功率的控制。通过光刻原理将激光直接写入到光刻胶层中,在后续的蚀刻过程中实现对芯片的微缩加工。与传统的紫外线光刻技术相比,光刻准分子激光器技术具有更高的功率密度、更小的波长以及更好的能量稳定性,从而...
在此过程中，光源技术也从ArF准分子激光升级为波长13.5纳米的EUV光，通过锡激光等离子体产生。这种激光器的驱动过程相当复杂，通过预脉冲和主脉冲轰击锡液滴，产生高功率的EUV闪光，功率可达40千瓦，远超工业切割激光。驱动激光器的核心是使用二氧化碳气体激光器的10.6μm波长红外激光，它被放大并通过放大...
0 程设备 M aking & test 瓤砉 赫 KrF准分子激光器光刻技术 半 早体 1 50m 2寸 00 I· m扩 到 J,全 I 300r am 圆 片尺寸的扩 大 无疑 会提 高芯片的产量 。但要想达到这一 目标 还需要解决一些相关的 问题 例如 、当前有必要开发叮 用于制造 0 25至0 30“1 31器件 的 KfF准 分子激光...
在科学和技术领域,利用深紫外(DUV)区域的相干光源对光刻、缺陷检测、计量和光谱学等各种应用具有重大意义。传统上,高功率 193 纳米(nm)激光器在光刻技术中起着举足轻重的作用,是精确图案化系统不可或缺的组成部分。然而,传统 ArF 准分子激光器的相干性限制阻碍了其在干涉光刻等需要高分辨率图案的应用中的有效性。
半导体光刻技术的进步，特别是F2准分子激光曝光技术，其157nm波长激光器的窄带宽特性显著提升了折反射光学系统的性能。Cymer公司的产品，带宽仅为0.6～0.7 pm，使得分束器立方体，主要由CaF2制成，能够减少束程并缩小系统体积，以往的大型CaF2晶体易碎问题已得到解决，SVGL公司展示了12～15英寸的单晶CaF2...
合肥意克赛激光科技有限公司由中国科学院合肥物质科学院科研人员创立,公司是集准分子激光器研发、生产、销售和服务为一体的高科技企业。意克赛团队将自主掌握的准分子激光技术进行成果转化,开展工业化准分子激光产品研发及市场开发,在实施中小功率准分子激光系列产品量产
摘要 对用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术作了阐述,对无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)以及高透衰减相移掩模(HT AttPSM)和CPM组成的混合相移掩模技术进行了研究.对这些掩模的一些制作方法及... 出版源 中国电子学会 , 2003 关键词光...