当输入电压VFB达到带隙比较器的翻转门限时,Ic2=Ic1,此时迟滞比较器发生翻转,Q10截止,Q9导通,设此时的VFB=VOH,则有: 当VFB从超过VOH电压逐渐减小时,迟滞比较器的工作点发生变化,只有当迟滞比较器的电压达到下翻转门限时,迟滞比较器才翻转,于是当VFB减小到VFB=VOH时,Q10并不导通,VFB继续减小,当迟滞比较器的电压...
当输入电压VFB达到带隙比较器的翻转门限时,Ic2=Ic1,此时迟滞比较器发生翻转,Q10截止,Q9导通,设此时的VFB=VOH,则有: 当VFB从超过VOH电压逐渐减小时,迟滞比较器的工作点发生变化,只有当迟滞比较器的电压达到下翻转门限时,迟滞比较器才翻转,于是当VFB减小到VFB=VOH时,Q10并不导通,VFB继续减小,当迟滞比较器的电压...
1.2具有带隙结构迟滞比较器的电路原理 带隙基准迟滞比较器由3部分构成(见图1),带隙基准比较器、射随器和迟滞比较器。工作原理为:输入端与内部的基准门限电压进行比较,当输入端电压超过内部基准门限时,Q12集电极中没有电流流过,即输出电流IOUT为0;当输入端电压低于较低门限时,Q12集电极中有电流流过,即有IOUT流...
传统的带隙基准电路和迟滞比较器电路占芯片面积较大,工作电压和功耗都比较高。本文设计的具有带隙结构的迟滞比较器工作电压低至1.2 V,大大节省了芯片面积,适用于微功耗DC—DC转换器中,主要用于镍镉、镍氢和碱性电池供电的便携式产品。
基于LED驱动的微功耗DC—DC转换器,针时低压高稳定性的要求设计了一款具有带隙结构的迟滞比较器电路,它的最低输入电压为1.2 V,其核心电路有带隙基准比较器、射极跟随器和迟滞比较嚣。整个电路采用Bipolar工艺设计,利用HSpice软件对所设计的电路进行了仿真与验证。结果表明,迟滞比较器的迟滞电压为8 mV,翻转门限电压随...