溅射粒子在基底表面均匀堆积生长,并且涂层沉积厚度基本一致,厚度误差在5%以内.分别引入N_2和Ti及N_2-Ti共掺杂,均可降低Ta_2O_5涂层的粗糙度.光学测试结果表明,分别引入N_2和Ti元素,可以提高Ta_2O_5涂层的平均透射率至81%以上,而N_2-Ti共掺杂制备的N_2-Ti-Ta_2O_5涂层平均透射率降低.力学测试结果显示...
2) RF sputtering RF溅射3) RF/DC sputtering RF/DC溅射 1. Research on microstructure and mechanics properties of 316L stainless steel/SiO_2 ceramic composite film prepared by RF/DC sputtering; RF/DC溅射316L/SiO_2复合膜力学性能与显微结构的研究4) RF-sputtering RF-溅射...
直流/射频共溅射 1. The p-type ZnO:Al films deposited by RF/DC magnetron sputtering at room temperature were treated by gaseous ammonia annealing. 采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜。 2) DC co-sputtering 直流共溅射 3) DC magnetron co-sputtering...
共反应溅射1. A new gate dielectric material,HfTiON,is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in N2/O2 ambient,followed by anneal in N2 at 600 °C and 800 °C respectively for 2 mins. 在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后...
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。 SiO 2/TiO 2 composite thin films were prepared by RF magnetron co-sputtering.
在等离子环内,电子不断地使Ar原子变成Ar离子,Ar离子被加速后打向靶表面,把靶内的原子溅射出来,沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体,溅射电源可用直流或射频电源,如靶材是绝缘体,则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上,称为正轴溅射,基片放在靶轴线外;称为偏轴溅射。
双靶直流磁控共溅射 1. Cu-doped TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron co-sputtering with two targets. 采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。3...
双靶直流磁控共溅射 1. Cu-doped TiO2 thin films were prepared byDC reactive magnetron co-sputtering with two targets. 采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。
6) sputtering Al films 溅射Al薄膜 补充资料:不共中不共变 【不共中不共变】 谓如眼等五根,唯自己第八识中最初一念,托父母遗体时变现,名不共;出胎之后,唯自己受用,复名不共。如眼识,惟依眼根而发;乃至身识,唯依身根而发,不相混杂,是为不共中不共变。 说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何...