所谓光电性质,就是化学物质在光落在它的表面时,所表现出的物理性质和电学性质,例如:光电效应、光致电荷移动和荧光。光电效应是指当光照射在物质表面时,能够激发出电子并使其受到影响。这些电子可以流经外电路并被存储。光致电荷移动是指化学分子在吸收光子并转移能量时,内部电子的运动和空间结构可能会发生变化。荧光...
光电性质包括光催化反应，光催化反应是光电性质的一个重要应用之一。光电性质涉及材料对光的吸收、发射和光电转换等过程。光催化反应利用光能激发材料中的电子，从而引发化学反应。在光催化过程中，光能被吸收并转化为电能，从而导致化学反应的发生，例如光催化分解有害物质、光催化产生氢气等。
在非共振强激光场作用下，GaAs/AlxGa1-xAs异质结构的光电性质会发生显著变化。例如，激光场会引起光学响应的蓝移，并增强其强度。这种效应对于调节光电器件性能具有潜在应用价值。结合康文特势参数调节 通过结合康文特势参数和非共振强激光场，可以实现对GaAs/AlxGa1-xAs异质结构光电性质的高度调控。这种调控策略为优化...
量子点的结构特性对其光电性质有着重要影响。量子点的禁带宽度决定了其能够吸收和发射的光的波长范围。当光子的能量等于或大于量子点的禁带宽度时,光子会被吸收,激发出电子从价带跃迁到导带。这种能级跃迁产生的能量差异可以解释量子点的发光特性。当电子重新回到较低能级时,会发射出具有特定波长和能量的光子,这就是所谓...
④SiGe材料，由于SiGe材料具有许多独特的物理性质和重要的应用价值，又与Si平面工艺相容，因此引起了微电子及光电子产业的高度重视。SiGe材料通过控制层厚、组分、应变等，可自由调节材料的光电性能，开辟了硅材料人工设计和能带工程的新纪元，形成国际性研究热潮。Si/GeSi异质结构应用于红外探测器有如下优点：...
一、光电材料的性质 1、半导体材料 半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电性质。它们的电阻率在常温下比金属高,但比绝缘体小。同时,半导体材料的导电性和光电性能强烈受其掺杂剂种类和浓度的影响。加入某些杂质后,半导体材料就会变成n型或p型半导体。n型半导体中的自由电子比空穴多,p型半导体中的空穴比自由电子多。
半导体光电的性质和应用 半导体的光电性质是半导体材料最重要性质之一。半导体的光电效应是各种光电器件的基础。光学方法是研究半导体的能带结构和检测材料参数的一种重要手段。本章:讨论半导体的光吸收光生伏特效应等半导体材料基本的光电性质和应用。 半
例如，光电二极管，具有p-n结或p-i-n结构，其中光在耗尽层被吸收并产生光电流。这类探测器尺寸小巧，响应迅速，线性度高，且量子效率极高。雪崩光电二极管更是其佼佼者，有时甚至能用于光子计数。金属-半导体-金属光电探测器则以其高速响应脱颖而出，带宽高达几百GHz。光电晶体管则利用了光电流的内放大原理，尽...