APD的暗电流有初级暗电流和倍增后的暗电流之分,它随倍增因子的增加而增加;此外还有漏电流,漏电流没有经过倍增。 APD的响应速度主要取决于载流子完成倍增过程所需要的时间,载流子越过耗尽层所需的渡越时间以及二极管结电容和负载电阻的RC时间常数等因素。而渡越时间的影响相对比较大,其余因素可通过改进结构设计使影响减...
2024-02-01 14:08:34 光电二极管和雪崩光电二极管的区别是什么 接收器。 雪崩光电二极管 由于其更高的灵敏度,APD在光检测中优于PIN光电二极管。电荷载流子的数量随着施加相对较高的电压而增加,并且它们在强电场的作用下加速。发生内部碰撞,随之而来的是电荷倍增 a2009428 2023-02-06 14:19:01 光电...