Application Note 第5 页共 27 页 V 1.1 2022-02-10 使用功率 MOSFET 进行设计 如何避免常见问题和故障模式 反向阻断特性 3 反向阻断特性 所有功率 MOSFET 器件都有额定最大反向电压,即 V(BR)DSS.如果漏源电压超过此限制,则会在反向偏置的 p-n 结上产生高电场.由于强电离的作用,这些高电场会产生电子-空穴...
1EDI3031ASXUMA1 是一款隔离式单通道 12 A SiC MOSFET 栅极驱动器,额定隔离电压为 5700 VRMS,其电压水平远高于交流线路家用电器栅极驱动器及其功率器件(图 10)。这款驱动器是专为 5 kW 以上的汽车电机驱动器设计的高压器件,支持 400、600 和 1200 V 的 SiC MOSFET。 图10:EDI3031AS 是一款隔离式单通道 12...
功率模块封装技术的发展 电动汽车用功率器件解决方案 使用SiC MOSFET实现低导通压降和二极管正向压降>超低损耗; 使用SiC MOSFET自身体二极管作为FWDi,减低反向恢复电流和噪声可与超小型DIPIPM使用相同PCB。 2023-06-29 10:37:49 通富微电业绩大涨 在存储和车用功率器件领域取得重大突破 3月31日,通富微电发布2020...
首先,避免触摸裸露部分,以防触电危险。其次,确保设备周围通风良好,避免过热引起故障或损坏。此外,应遵循操作手册中的使用规范和注意事项,以确保人员和设备的安全。 超声功率放大器使用范围有哪些 超声功率放大器的使用场景有哪些 医用超声功率放大器,具体有哪些应用场景? 超声功率放大器应用领域有哪些 超声功率放大器怎么...
图9:使用 EVAL1ED44176N01FTOBO1 评估板,设计人员可以通过关联开关器件,设置和测量关键栅极驱动器工作点。(图片来源:Infineon Technologies AG) 高压SiC MOSFET 栅极驱动器 [1EDI3031ASXUMA1]是一款隔离式单通道 12 A SiC MOSFET 栅极驱动器,额定隔离电压为 5700 VRMS,其电压水平远高于交流线路家用电器栅极驱动器...