反常光生伏打效应定义 编辑 播报 非极性晶体受到光照时所产生的光生伏打效应有两类:一类是发生在均匀介质中的德姆伯(Dember)效应和光子拖曳效应(Photon一dragofoleetroneffeet);另一类是宏观非均匀材料(如p一n结区)在均匀吸收光时所出现的光伏效应。无论上述那种效应,跨过单一元件上的光伏电压都不超过电子的禁带...
✨光生伏打效应,简单来说,就是光激发电子产生电压的过程。在这个过程中,光伏电池的正负极之间会产生电势差,也就是电压。当光伏组件与电路连接时,这个电压就可以驱动电流流动,从而产生电能。🌈与传统的发电方式相比,光生伏打效应具有无噪音、无污染、维护成本低等诸多优点。更重要的是,它是一种可持续的能源利用...
光生伏打效应，英文名称为photovoltaic effect，是指半导体在吸收光子时产生电动势的现象。当半导体受到光照，物体内的电荷分布状态发生变化，从而产生电动势和电流。此效应分为两种类型：一种发生在均匀半导体材料内部；另一种发生在半导体的界面。其中，界面效应被称为光生伏打效应，而内部效应则为丹倍效应。
【答案】：光照PN结在PN结上产生光生电动势的效应称为光生伏打效应．在光的照射下，半导体中的原子因吸收光子能量而受到激发．如果光子能量大于禁带宽度，在半导体中就会产生电子-空穴对．在PN结扩散区以内(如果PN结空间电荷区外不存在杂质浓度不均匀等原因引起的内建电场)产生的电子-空穴对，一旦进入PN结...
光生伏打效应(Photovoltaic effect)光生伏打效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。光生伏打效应--(可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器);侧向光生伏特效应(殿巴效应)--(可制作半导体位置敏感器件(反转光敏二极管)传感器);PN结光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管和光敏三极...
光生伏打效应的原理可以用以下步骤来解释: 1. 光吸收:当光照射到材料表面时,光子与材料中的原子或分子相互作用。光子的能量被传递给材料中的电子。 2. 能级跃迁:光子的能量足够高时,能够使得材料中的电子从束缚态跃迁到传导态。在束缚态,电子受到原子核的束缚,无法自由移动。而在传导态,电子能够自由地在材料中...
光生伏打效应的形成是由于大气层中的静电和空气的放电所引起的,这种放电又可分为直接放电和电压差法两种。直接放电是指雷暴中云之间发生的直接电流放出,而电压差法是指在两个不同云层之间形成的电势差,使得两个云层之间产生电流放出。 光生伏打效应有其独特的生态作用,它可以在大气中扩散电子、氧离子及其它微粒,...
当两种不同材料所形成的结受到光辐照时，结上产生电动势。它的过程先是材料吸收光子的能量，产生数量相等的正﹑负电荷，随后这些电荷分别迁移到结的两侧，形成偶电层。光生伏打效应虽然不是瞬时产生的，但其响应时间是相当短的。
光电现象，特别是一种名为光生伏打效应的现象，揭示了物体吸收光子后产生电动势的原理。这一过程涉及两种不同材料形成的结在受到光辐照时，结上产生电动势。其机制始于材料吸收光子能量，从而产生数量相等的正负电荷。随后，这些电荷分别迁移到结的两侧，形成偶电层。光生伏打效应并非立竿见影，响应时间...