3D NAND的出现,正是为了突破2D NAND在容量上所受到的限制3D NAND的架构能在不破坏数据完整性的情况下,可以比2D NAND扩展到更高的密度,从而使得可存储容量有效增加。 3D NAND与2D NAND的最大区别在于,2D NAND是平面架构,3D NAND则是立体的。3D NAND使用多层垂直堆叠,将传统平面结构的NAND闪存堆叠起来,以节省空间...
如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。 图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author) 左边二个是 Planar NAND,只是存储单元结构不同,由浮动栅结构 (...
3D NAND也称为V-NAND,旨在克服2D NAND在容量方面的限制。3D NAND架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度,从而实现更多的存储容量。 与2D NAND不同,3D NAND使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度,更低的功耗,更好的耐用性,更快的读/写速度以及更低的每千兆字节成本。 简单来说,之前的2D NAND是平面...
3D NAND是一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦,所谓3D闪存就是2D闪存的堆叠。Intel曾经以盖楼为例介绍了NAND,普通的NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子变多了,理论上来讲可以无限堆叠,但是由于技术和材料限制,目...
什么是3D NAND？3D NAND是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性...
3D NAND芯片中的存储单元比分散在2D设备表面的存储单元靠得更近。这意味着信号不必传输太远，这减少了它们的延迟，并且取决于存储数据的应用程序，可以提高内存性能。最终，缩短信号需要发送的距离可以减少某些应用程序和实际中的功耗。Agrade MS35&PE50都采用最新制程超低功耗的闪存控制器 结论 虽然就存储容量和每字节...
闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。 根据用途和规格不同,闪存颗粒有很多不同的变种,今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。
3D NAND闪存 3D NAND闪存也就是我们常说的堆栈式闪存,最早也是东芝于2007年宣布提出,主要目的就是解决当时候SLC等2D平面闪存极少的存储单元 2D到3D简单来说就是垂直堆叠,如同盖大楼方式把闪存堆垒起来以解决容量问题,目前主要三星、东芝、美光/英特尔 、海力士 ...
什么是3D NAND闪存? 从新闻到评测,我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了,首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。 从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普...