亚带隙光吸收效应主要发生在窄禁带半导体中,例如硫化镉和硒化铟等。对于这些材料来说,由于禁带较窄,当光子能量与亚带隙能量匹配时,能量可以被电子吸收,使其从价带跃迁到导带。这种光吸收现象可以用来设计各种光电器件,如光电传感器、太阳能电池等。 在亚带隙光吸收效应的研究中,常常会利用色散关系的不同来调节光子能量与...
这种效应通常涉及到杂质能级、缺陷态或通过多光子吸收过程。 在传统的光吸收过程中,当光子的能量等于或大于半导体的带隙能量时,电子可以直接从价带激发到导带。然而,在某些情况下,即使光子能量小于带隙能量,电子也可以通过吸收这些低能量光子来实现跃迁。这种亚带隙光吸收机制对于理解和设计光电器件非常重要,因为它可以...