DIODES 的 ZXTN25100DGQ(NPN, 100V, 3A, SOT223)采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗,使其非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。 产品规格 品牌DIODES 型号ZXTN25100DGQ 名称NPN高增益晶体管 产地 台湾 封装SMD/DIP 主要特征 BVCEX>180伏 bvco>100伏 BV...
AEC QualifiedYes Compliance (Only Automotive supports PPAP)Automotive ConfigurationSingle PolarityN TABDrain BVDSS (V)60 IDVIN= 5V (A)1.3 PD (W)1.67 RDS(ON)Max @ VIN(3V) (mΩ)600 RDS(ON)Max @VIN(5V) (mΩ)500 VDS(SC)VIN= 5V (V)36 ...
The ZXMS6005DGQ-13 is a self protected low side IntelliFET MOSFET with logic level input. It integrates over-temperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6005DGQ-13 is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V micr...
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ZXMS6005DGQ-13 产品简介DIODES 的 ZXMS6005DGQ-13 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 IntelliFET MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6005DGQ-13 非常适合在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中作为由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。 产品规格 品牌DIODES型号ZX...
型号: ZXMS6006DGQ-13 封装: SOT223 批号: 22+ 数量: 9000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-223-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2 A Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms Vgs...
品牌名称DIODES(美台) 商品型号ZXMS6004DGQ-13 商品编号C2157978 商品封装SOT-223-3 包装方式 编带 商品毛重 0.001克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 功率电子开关 通道数 1 输出电流 1.3A 属性参数值 工作电压 60V 导通电阻 350mΩ 工作温度 -40℃~+125℃ 电压-负载 60V...
ZXMS6006DGQ-13 LOW SIDE INTELLIFET SOT223 Diodes Incorporated $1.54000 Details ZXMS6005SGTA IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 Diodes Incorporated $1.21000 Details DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated $0.23000 Details ZXMS6005DGTA IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 Diod...
产品名称:ZXMS6005DGQ-13 品牌:DIODES 包装方式:REEL 封装:SOT-23-3 标准包装数:2500 库存渠道:联营合作库存 最小起订量: 订购量: -+ 库存量:15000 提交询价不可拆包 该型号可能还没有上传更新,请发询价到陈经理0755-83791199 价格梯度售价 (不含税) ...
ZXMS6006DGQ-13 数据手册 ZXMS6006DGQ Green 60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET Product Summary Features and Benefits Continuous Drain Source Voltage On-State Resistance Nominal Load Current (VIN = 5V) 60V 100m 2.8A Clamping Energy 490mJ Descript...