ZTX651 品牌DIODES 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 2 A 175MHz 1 W 通孔 E Line ZTX651 100000 DIODES TO-92 21+ ￥0.9900元1~99 个 ￥0.8800元100~499 个 ￥0.6600元>=500 个 深圳市英特翎科技有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 ZTX651 三极管 DIODES/美台 封装TO...
ZTX651 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 频率 175 MHz 额定电压(DC) 60.0 V 额定电流 2.00 A 针脚数 3 极性 NPN 耗散功率 1 W 增益频宽积 175 MHz 击穿电压(集电极-发射极) 60 V 集电极最大允许电流 2A 最小电流放大倍数(hFE) ...
类似零件编号 - ZTX651 制造商部件名数据表功能描述 Diodes IncorporatedZTX651 73Kb/3PNPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS ZTX651 345Kb/7P60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE Inchange Semiconductor ...ZTX651 312Kb/3PSilicon NPN Power Transistor ...
品牌名称 DIODES(美台) 商品型号 ZTX651 商品编号 C262768 商品封装 TO-92-3 包装方式 盒装 商品毛重 0.129克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录三极管(BJT) 晶体管类型NPN 集电极电流(Ic)2A 集射极击穿电压(Vceo)60V 耗散功率(Pd)1W ...
型号品牌参考价格 ZTX651 DIODES/美台 ￥2.33ZTX651中文资料规格参数 ZTX651概述 类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 单路系列:-晶体管类型:NPN电流- 集电极 (Ic)(最大):2A电压- 集电极发射极击穿(最大):60VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA, 2A电流- 集电极截止(最大):-在某Ic...
ZTX651QSTZ 概述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN 小信号双极晶体管 ZTX651QSTZ 规格参数 是否Rohs认证:符合生命周期:Active Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.67 最大集电极电流 (IC):2 A配置:Single 最小直流电流增益 (hFE):100JESD-609代码:e3 ...
唯样编号 G-ZTX651 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 ZTX650.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 通用三...
唯样编号 H-ZTX651 供货 Verical 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 ZTX650.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 通用...
ZTX651 由DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stoparrowickeyfuture 等渠道进行代购。 ZTX651 价格参考￥ 1.4767 。 DIODES ZTX651 封装/规格: E-Line-3, TRANS NPN 60V 2A E-LINE。你可以下载 ZTX651 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 通用三极管 详细引脚...
ZTX651中文资料 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS ISSUE 2 JULY 94FEATURES *60 Volt V CEO * 2 Amp continuous current *Low saturation voltage *P tot =1 Watt 3-219