综合上述的分析,我们可以知道,在DDR设置ODT的时候,就是通过使能相同的240ohm电阻的不同组合来实现不同的端接值。 如上图所示,当进行ZQ校准时,首先进行的步骤是将Vpull-up拉高,将Vpull-up leg的电压拉高到VDDQ,此时校准控制模块会不断的控制P-channel部分的电路,通过Xres部分的电压和VDDQ/2进行比较并反馈,最终...
ZQ校准命令用于校准DRAM Ron和ODT值。DDR3 SDRAM在初始化时需要更长的时间来校准输出驱动器和片上终端电路,而进行周期性校准的时间相对较小。ZQCL命令用于上电初始化顺序时的初始校准。这个命令可以在任何时候由控制器根据系统环境发出。ZQCL命令触发DRAM内部的校准引擎,一旦校准完成,校准值从校准引擎传输到DRAM IO。
1.一种DRAMDDRZQ管脚使用状态的检测电路,包括PMOS管组、比较器、参考电压提供电路以及ZQ管脚判断控制模块,所述参考电压提供电路产生参考电压VDD/2,其特征在于:PMOS管组中最小尺寸的PMOS管分成了N个,使得PMOS管组的阻值大于ZQ管脚提供参考电阻RZQ的8-12倍,所述ZQ管脚判断控制模块包括状态判断模块, 所述PMOS管组的一...
ZQ 校准 如下图三所示， ZQ 是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考...
根据各种方面,一种存储器控制器可调度ZQ命令来周期性地校准多级存储器中的个别存储器级.所述存储器控制器可在每一ZQ间隔调度ZQ短命令,且记录所述ZQ短命令在所述ZQ间隔相对于处于自刷新模式的存储器级未命中.在所述未命中的ZQ短命令达到第一阈值之后,可在所述下一ZQ间隔调度ZQ长命令,且假如所述存储器级退出所...
一种应用于DDR3 DRAM的ZQ校准方法
为了实现更强大的系统操作,DDR3 SDRAM驱动器设计通过降低电容得到了增强,动态片上端接(ODT)和新的校准方案。 电容减少来自于使用新的合并驱动器。使用新驱动程序,组成输出驱动程序的电路共享用于ODT。DDR2上使用单独的结构作为输出驱动器和终端阻抗。 0 DDR的ZQ校准信号-翻译.pdf 295 Bytes , 下载次数: 38 ...
57 ZQ接校准参考电阻，TEN是使能功能。按照DATA数据线的线宽设计即可。/ W1 x% e D7 f0 L& u ...
2]ThesesettingscanNOTbeusedforreceivingDRAM(dataiswrittento)-IllegalwhendynamicODTisnotused(MR2.bit[10:9]=00b)-IllegaltoDRAMofwritelevelingisperformed(MR1.bit7=1ANDMR1.bit12=0)Qimonda·DDR3-ZQcalibration·November2008·Page4Copyright©QimondaAG2008·Allrightsreserved.Whatis“ZQCalibration”inDDR3...
重组完成已有四年,越秀资本(000987.SZ)首次启动对中信证券(600030.SH)的减持。 11月12日晚间,越秀资本公告称,截至2024年11月12日累计已出售中信证券股份0.28亿股,占中信证券总股本的0.19%。包括上述已出售股份在内,越秀资本及其子公司拟通过二级市场出售不超过中信证券总股本1%的股份。 以公告披露当日中信证券A股股价...