一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法专利,专利类型:发明授权,技术分类是:H01L31/18(2006.01)I,购买一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法专利,需要申请人和发明人的基础信息,还需提供一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法专利的详细信息。