Zn1-xCoxO室温铁磁性利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xCoxO(x=0.01-0.05,原子分数)纳米晶体粉末,利用XRD,TEM和SEM对其结构,结晶状态,形貌和成分进行了表征和分析.结果表明,所有样品均由尺寸约为100 nm的晶体颗粒组成,Zn1-xCoxO的晶格常数均比未掺杂的ZnO晶格常数小,且保持了单一纤锌矿ZnO结构,实际掺杂浓度与名义掺杂...
《高温水热法合成Zn1-xCoxO稀磁半导体晶体》是依托河北大学，由董国义担任项目负责人的面上项目。项目摘要 拟采用水热法在高温（400℃以上）合成Zn1-xCoxO稀磁半导体晶体。研究水热反应温度、压力（填充度）、矿化剂种类、浓度、前驱物成分等对晶体形态、生长速度、晶体缺陷、杂质含量和均匀性的影响，寻找最佳的...
专利名称 Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备技术 申请号 2005100500893 申请日期 2005-06-15 公布/公告号 CN1725446 公布/公告日期 2006-01-25 发明人 邱东江,余萍,顾智企 专利申请人 浙江大学 专利代理人 盛辉地 专利代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 H01L21/20(2006.01);H01L...
摘要 本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的CoCl2·6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1... 关键词水热合成 / ...
流变相反应法合成Zn1-xCoxO室温稀磁半导体
Zn1-xCoxO纳米复合薄膜的磁特性
稀释磁性半导体Zn1-xCoxO纳米晶的合成 维普资讯 http://www.cqvip.com
利用流变相反应法制备得到Zn1-xCoxO(x=0.02,0.04,0.06,0.08)稀磁半导体材料.X射线衍射分析,发现Co的掺杂并未改变ZnO的纤锌矿结构,并没有杂质相的生成,衍射峰的峰位随着Co掺杂向高角度移动,Co已进入ZnO晶格.电镜及吸收光谱进一步表明样品中没有第二相的出现,Co2+成功掺入ZnO晶格.采用超导量子干涉磁强仪测量Zn...
Zn1-xCoxO薄膜电子束反应蒸发微结构磁特性用电子束反应蒸镀法在低温生长 了Zn1-xCoxO薄膜.Co含量x高达0.33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2.场冷和零场冷 M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0.33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩磁和矫顽力均逐渐下降,在...