本店由淘IC(深圳)运营支持 获取底价 深圳市千百合电子有限公司 商品描述 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 品牌 ROHM/罗姆 批号 新年份 数量 999999 制造商 ROHM Semiconductor 产品种类 稳压二极管 RoHS 是 Vz - 齐纳电压 3.9 V 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 VMN-2 ...
本店由淘IC(深圳)运营支持 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 美高森美 封装 DO-41 批号 21+ 数量 20000 制造商 Microchip 产品种类 稳压二极管 RoHS 是 可售卖地 全国 型号 1N4478 技术参数 品牌: MICROSEMI/美高森美 型号: 1N4478 封装: DO-41 批号: 21+ 数量: 20000...
稳压二极管型号与电压（Zener diode model and voltage）Zener diode model comparison table American Standard zener diode model 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 ...
ON 稳压二极管 1N5240B DIODE ZENER 10V 500MW DO35 更新时间:2024年04月12日 安全无小事,筑牢校园安全线 价格 ￥0.36 ￥0.35 ￥0.33 起订量 100个起批 1000个起批 10000个起批 货源所属商家已经过主体资质核查 发货地 广东省 深圳市 数量 获取底价 商家响应极速,可发送询盘 查看电话 在线咨询...
ROHM/罗姆 存储IC EDZVT2R12B 稳压二极管 Diode Zener Sgl 11.99V 150mW EDZVT2R12B 64000 ROHM/罗姆 SOD-523 19+ ￥1.3500元10~99 个 ￥1.2500元100~999 个 ￥1.0000元>=1000 个 深圳市中弘微电子科技有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 BZT52B8V2 贴片稳压管 齐纳二极管 稳压二极...
产品规格:ZENER DIODE_SOD323 数量: 2015 厂家:ATChip 产品包装:Die,COB 产品批号:2008+ 数量:80000 pcs 单价:1.68 MOQ:1000 RFQ:7000 更多... 产品说明 Stocks库存处理 / 音乐IC ZENER DIODE_SOD323 最近更新时间: 2008/10/22 ZENER DIODE_SOD323 掩膜芯片需要收取掩膜费,两种可选,不可退掩膜费7000元,一...
DDZ9696-7 DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123 DDZ9696-7 公司名片 手机号: 联系人:陈伟滨 公司名称:深圳市博通兴业科技有限公司 马可波罗网>电子元器件>集成电路/IC>DDZ9696-7 DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123 DDZ9696-7 最近被加入的企业 名片夹还没有企业信息,赶紧查看企业联系方式加入吧!
Zener Diode 技术 - 电压- 峰值反向(最大值) - 电流- 平均整流(Io) - 不同If 时的电压 - 正向(Vf - 不同Vr 时的电流 - 反向漏电流 - 操作温度 - 安装方式 Surface Mount 二极管配置 - 电压- DC 反向(Vr)(最大值) - 电流- 平均整流(Io)(每二极管) ...
DIODE ZENER 15V 1.5W 系列 standard 特征 standard 制造日期代码 standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please contact us Shipping by: DHL\UPS\FEDEX\EMS Quality: 100% Original 100% Brand Product Name: Electronic Comp...
An IC chip having a Zener diode with a subsurface breakdown junction to assure stable operation. The diode is formed by a triple diffusion process compatible with conventional bipolar processing. A deep p.sup.++ diffusion first is applied, reaching through the epitaxial region to the buried n.su...