yldx: 性别:男年 龄:62 岁出生年月:1963-8-28 身高:162 cm婚姻状况:已婚工作所在:福建-福州-晋安区 体重:61 kg居住条件:自有多套物业个人籍贯:福建-福州-晋安区 学历:大专以下购车情况:暂时没有平均月薪:2000元-5000元 交友目的:纯友谊,休闲玩伴 ...
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PSMN1R4-40YLDX Nexperia 功率MOSFET 参数信息 制造商 Nexperia 制造商编号 PSMN1R4-40YLDX 商品目录 功率MOSFET 封装/外壳 SOT669 FET类型 N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs 1.85mΩ@4.5V,1.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max) 238W 工作温度 175℃ 栅极电压Vgs 1.7V 漏源极电压Vds 40V 输入电容 6661pF 输出...
型号 PSMN1R4-30YLDX 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
YLDX 一个爱看金庸的狮子座♌️ 备受瞩目 徽章佩戴留念,期待在知乎继续前行,探索无尽可能。阅读全文 发布于 2024-10-02 23:00 赞同添加评论 分享收藏 赞同了文章2024-09-30 18:05 首次发现!孕妇接触过多塑料,男孩患自闭症概率高出6倍 大米和小米 中国专业的儿童发育与能力提升平台...
PSMN3R0-30YLDX 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 8 漏源极电阻 0.0026 Ω 耗散功率 91 W 阈值电压 1.7 V 输入电容 1959 pF 漏源极电压(Vds) 30 V 上升时间 21 ns 输入电容(Ciss) 2939pF @15V(Vds) 额定功率(Max)
PSMN1R4-30YLDX 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 4 漏源极电阻 0.00111 Ω 耗散功率 166 W 阈值电压 1.7 V 输入电容 3840 pF 漏源极电压(Vds) 30 V 上升时间 28 ns 输入电容(Ciss) 3840pF @15V(Vds) 额定功率(Max) ...
PSMN1R4-40YLDX由Nexperia设计生产。PSMN1R4-40YLDX封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/143nC:阈值电压/2.2V@1mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/238W:充电电量/143nC:反向传输电容Crss/299pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/40V:极性/N-沟道:存储温度/-55℃~+175℃:引脚数/5Pin:高度/1.20mm:长x宽/尺...
包头交友网会员:YLDX-美女。68岁,居住在内蒙古 包头。身高:158cm,教育程度:本科,职业:工程师。在玫瑰网找对象希望得到一切随缘,查看联系方式
X5.4692(单价) 总价: ￥ 54.692 加入购物车立即购买 品牌:Nexperia(安世) 型号: PSMN3R0-30YLDX 商品编号: DS0080891 封装规格: SOT-669 商品描述: MOS场效应管 PSMN3R0-30YLDX SOT-669 商品详情 商品介绍 MOS场效应管 PSMN3R0-30YLDX SOT-669 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最...