晶格氧通常对应材料中处于正常晶格位置的氧原子,结合能较高,峰位集中在529-531eV范围。以金属氧化物为例,晶格氧的O1s峰呈现对称单峰或主峰形态,例如二氧化钛的O1s主峰位于529.5eV附近,对应Ti-O键中的氧。 氧空位的存在会改变局部电子环境,导致XPS峰位向低结合能方向偏移。在含有氧空位的样品中,O1s谱常出现528-
某团队曾报道,将传统PEO中的醚氧部分替换为硫醚结构后,O1s络合峰向高结合能方向移动0.5eV,对应更弱的Li+束缚力,使离子迁移数从0.2提升至0.75。 需要注意几个常见误区。不能单纯依靠结合能偏移绝对值判断络合强度,必须结合FTIR、固态核磁等多维表征手段。某些情况下结晶相与非晶相的醚氧环境差异会产生叠加峰,这时...
氧元素 XPS 主峰:O1s 干扰峰:Na KLL、Sb3d、Pd3p、V2p 常见化学状态的结合能: 化学状态结合能 O1s/eV 金属氧化物529–530 金属碳酸盐531.5–532 Al2O3(矾土)531.1 SiO2532.9 有机C=O531.5–532 有机C-O~533 O-FX~535 以外来 C1s 谱峰 (284.8 eV) 作为基准进行荷电校正。
Avantage 氧(O)元素分析拟合 结构分析表征&百测网 Avantage教程(XPS数据分析软件) 3.2万 21 16:27 App XPS C分峰 O分峰 45.5万 126 17:47 App XPS原始数据处理Avantage及其绘图Origin全过程(因为自己处理完表征数据过了不到一个月又重新处理的时候忘的干干净净,得重新学,所以自己录了自用版~) 2.4万 5 ...
上班波比创建的收藏夹XPS内容:「共享科研」XPS分峰拟合教学-氧 O1s精细谱分析 xps分析 分峰拟合,如果您对当前收藏夹内容感兴趣点击“收藏”可转入个人收藏夹方便浏览
以氧化铝样品为例,使用KratosAxisSupra设备采集O1s谱时,若未考虑单色化铝靶导致的0.3eV峰展宽,分峰结果可能出现10%以上的偏差。 样品荷电补偿不当引发的峰位移是常见误差源。某研究组分析硅晶片时发现,未使用双束中和枪导致结合能偏移1.2eV,使SiO₂/SiOx组分比计算误差达15%。建议每次测试前用Au箔校准时,除4...
同步辐射光源的高亮度特性使得表面敏感型XPS(TPD-XPS)能够分辨单原子层的化学态变化,这对准确解析偏移规律至关重要。 实际应用中的干扰因素需要系统考量。表面吸附物种(如羟基、碳酸根)会通过电荷注入机制改变表观结合能。清华大学团队发现,暴露于空气中的CoFe₂O₄/SnO₂异质结在O1s谱中出现的529.8eV峰并非晶格...
假设一个样品的XPS分析结果如下:O1s峰的位置为532.0 eV,强度为500 cps,宽度为1.2 eV。请计算该样品中氧元素的化学状态、元素含量和表面形貌。相关知识点: 试题来源: 解析 答案:根据O1s峰的位置,可以判断该样品中氧元素的化学状态为氧化态(O-H)。根据O1s峰的强度,可以计算出该样品中氧元素的含量为5 at.%。
把第一个 fix勾选上 勾上虽然能固定，但这是强制固定，不勾上才能反应真实峰位吧？
XPS重合谱峰O1s 和 NaKLL 存在,如何准确定量。我们探究号科技会一直更新包括(XPS/ TOF-SIMS/ FIB/TEM/SEM-EDS/AES/AFM/ FTIR/ GC-MS/ etc)原理、应用、数据分析和材料分析、失效分析相关案例的免费技术纯干货。感谢每一位粉丝的关注和积极反馈!想尽快掌握相关专业知识的小伙伴可以参考我们新出的书《X射线光...