在n1s XPS谱图中,通常可以观察到多个分峰。这些分峰的位置和强度可以提供关于材料中氮元素化学环境和化学键的信息。常见的N1s分峰包括: N-H键:位于396-399 eV范围内。 N-C键:位于397-400 eV范围内。 N-O键:位于398-401 eV范围内。 N-N键:位于399-402 eV范围内。 N-Si、N-Al等键:位于400-403 ...
N1s电子能级通常是指氮原子中的1s轨道。在XPS谱图中,N1s电子能级的峰位通常在392-404 eV范围内。 在n1s XPS谱图中,通常可以观察到多个分峰。这些分峰的位置和强度可以提供关于材料中氮元素化学环境和化学键的信息。常见的N1s分峰包括: 1. N-H键:位于396-399 eV范围内,表示与氢原子形成N-H键的氮原子。
b图的问题就更明显了,S的2p峰具有自旋轨道分裂性,因此总是2p1/2和2p3/2成对出现,且2p3/2的面积是2p1/2的2倍。但是这里的Na2S,Na2S2和Na2S4均是一个峰,错误非常严重。此外,sulfur是两个峰,这点倒没问题,然而面积比却明显不合适。这里的作者明显是乱分!下面是一些正确示例: 图7 S2p正确分峰拟合示例 ...
金属氮化物(例如 TiN)的 N1s 峰形可能复杂且特殊,可能存在表面氮氧化物。 对于TiN 样品原样,其 N1s 区域的氧化氮化物状态对应的结合能比纯氮化物状态低。 氧化通常导致谱峰向高结合能方向位移(例如 NiSi2O 对比 NSi3)。 N1s 和 Ta4p3/2区域之间的重叠可以通过峰拟合进行分离。
论文1:Steering Bidirectional Sulfur Redox via Geometric/Electronic Mediator Comodulation for Li-S Batteries 图2 N1s和Co2p分峰拟合结果 这篇论文发表在了ACS Nano上,说明整体水平还是得到了认可。这里我们只对XPS分析进行评价。首先是图a,作者认为Co的引入造成VN@NC与Co-VN@NC之间结合能的差异,这是有可能的...
分峰技术是利用计算机程序对n1s和xps数据进行处理,以获得材料表面的详细信息。分峰技术的关键在于准确地确定峰的位置和形状,这需要对数据进行仔细地拟合和分析。目前,常用的分峰方法有Levenberg-Marquardt算法、最小二乘法等。 四、分峰技术的应用领域 分峰技术在材料、化学、物理等科学领域有广泛的应用。例如,在材料...
XPS分峰是基于光电子能谱原理,当X射线照射到样品表面时,光电子从表面逸出。逸出光电子的能量与样品表面元素的结合能有关,通过分析光电子的能量分布,可以获得样品表面元素的种类和含量。XPS分峰的操作步骤主要包括:样品准备、X射线照射、光电子收集与检测、数据处理与分析。 三、n1s峰在XPS分峰中的特点及解析方法 ...
NG10-800的C1s光谱有5个峰， NG10-800 O1s的XPS峰可分为532.9 eV (C=O键)和531.5 eV (C-O键)两个峰，这也证实了O原子与C原子的连接。对于N1s的XPS光谱峰显示了复合材料中氮的三种不同状态，分别是石墨-N (400.61 eV, 67.71 at.%)，吡啶-N (398.5 eV, 3.18 at.%)和吡啶-N (399.8...
1s XPS 的分峰是指在 N1s 能级上的电子能谱出现多个峰值的现象。这些峰值通常对应于不同的化学环境和轨道状态,因此分析这些分峰有助于了解材料表面的化学组成和电子状态。 3.N1s XPS 的分峰原因 1s XPS 的分峰现象主要是由于以下原因导致的: (1)表面吸附物种的不同:材料表面可能存在多种不同的吸附物种,这些...
5.峰识别:根据光电子能量与结合能的关系,识别元素种类及化学状态; 6.定量分析:根据光电子计数,计算元素含量。 五、影响XPS分峰结果的因素 1.样品表面清洁度:表面污染会导致峰形 broadening,影响元素识别; 2.光电子能量分辨率:能量分辨率越高,分峰结果越准确; 3.峰拟合方法:合适的峰拟合方法有助于准确识别峰位;...