以外来 C1s、C-C 谱峰 (284.8 eV) 作为基准进行荷电校正。 实验信息 大多数暴露于空气中的样品都可检出外来碳污染。(通常层厚为 1-2 nm。) 外来碳可采用氩离子溅射技术去除。 尽可能使用能量最低的氩光束(例如 200 eV 或 500 eV )或氩离子簇,以防止/最大程度减少对基材的化学破坏。
碳XPS标准峰是X射线光电子能谱中的一种常用标准,主要包括两种主要的峰:C1s和C2s/C2p峰。C1s峰是由碳1s电子离子化产生的,其能量范围为280~290 eV,主要用于确定碳元素的化学环境和化学键的种类。C2s/C2p峰则是由碳2s和2p电子离子化产生的...
本文将介绍xpsc1s标准xps分峰拟合c1s结合能的标准方法和步骤。 1.简介 XPS分析通过测量材料表面被激发出的电子能谱来研究其元素组成和化学环境。C1s能级是XPS中最常用的探测能级之一,通常用于分析含碳化合物的样品。 2. xpsc1s标准。 xpsc1s标准是指在XPS分析中,针对C1s能级的数据采集和分析的标准化流程。这些标准...
xps校正用最强的C峰。需以C为校准峰进行荷电校正C单质的标准峰位一般284点8减实际测得的C单质峰位等于需平移的，校正的目的是为了避免仪器误差，校正的原则是让C1s的峰位和标准峰位重合。xps校正用最强的C峰的方法 首先我们要会看XPS高分辨谱原始数据，我们将各元素的高分辨谱的关键数据各元素的结合...
1. C 1s峰:这是石墨烯XPS光谱中最主要的峰之一。C 1s峰通常对应于石墨烯表面的碳原子,其能量范围为280-290 eV。石墨烯的C 1s峰常常会出现两个不同位置的分峰,分别对应于sp2杂化碳原子和sp3杂化碳原子。 2. O 1s峰:石墨烯XPS光谱中的O 1s峰通常来自于石墨烯表面的氧化物或含氧功能化基团。该峰通常出现...
C1s校正的缺陷 G. Greczynski在文章中指出C1 s无论样品是否导电,这项技术都是适用的。因此,在样品/仪器界面处FL对准的基本问题被完全忽略。且文献显示了大量的混乱:(i)化学身份的AdC,(ii)结合能值分配给C1 s峰的AdC,(iii)参考程序本身...
在过去的20年中,大约60%的XPS相关文献清楚地表明,数据是通过C1s BE值校正方法校准的。其余40%的论文根本没有解释纠正方法。目前,不同研究群体的论文中采用c1s校正方法获得的XPS数据差异较大,主要来源于以下四个问题: 1)用于谱峰校正的碳种类含混不清。发表的论文中常用“adventitious carbon”, “graphitic carbon”...
此外，文献中关于化学身份的AdC、结合能值分配给C1s峰的AdC以及参考程序本身都存在大量的混乱。为了校准结合能标度，CeC/CeH峰被任意地设置在20-26 eV范围内的任何值，这与结合能参考的概念相矛盾。这种不正确的校准可能导致对化学键的误解，除非偶然出现匹配的情况。对于非导电样品的校正方式，XPS实验的示意性设置...
一般采用外来污染碳的C1s作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正谱中其他元素的结合能。 具体操作:1) 求取荷电校正值:C单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)-实际测得的C单质峰位=荷电校正值Δ;2)采用荷电校正值对其他谱图进行校正:将要分析元素的XPS图谱的结合能加...
在XPS谱图中,283 eV通常对应于碳元素的C1s电子峰。碳元素的C1s电子峰通常会受到不同化学环境的影响,因此需要进行拟合来分析不同的化学状态或化学键对应的峰。 在XPS数据分析中,对C1s电子峰的拟合可以用来确定样品中不同碳化学状态的含量,通常可以将C1s电子峰分解为若干个子峰,每个子峰对应于不同的化学状态或化学...