1 极限能量分辨率为0.43eV; 2 分析室真空度优于5×10-10 mbar; 3 能量分析范围为0-5000eV; 4 通过能范围为1-400eV; 5 固体样品的表面成分分析、化学态分析,不同的样品测试深度不一样,测样深度一般约为1-10nm,其中金属材料为0.5-3nm,无机材料2-4nm,有机高聚物5-10nm。(深度仅供参考) 检测项目 在化学...
案例四:中南民族大学唐和清团队采用XPS技术对氮掺杂前后石墨烯表面的元素组成进行了分析,由图3a可知,所有样品均在284.5 eV和532.5 eV处出现了C1s峰和O1s峰,而只有氮掺杂改性石墨烯(N-RGO) 在400 eV处出现了N1s峰,由此证明了氮已成功掺杂到石墨烯中。 4.2 催化剂中元素的化学态分析 4.2.1 催化剂的分子结构鉴...
仪器技术参数 1 极限能量分辨率为0.43eV; 2 分析室真空度优于5×10-10 mbar; 3 能量分析范围为0-5000eV; 4 通过能范围为1-400eV; 5 固体样品的表面成分分析、化学态分析,取样深度一般约为1-10nm,其中金属材料为0.5-3nm,无机材料2-4nm,有机高聚物5-10nm。 检测项目 在化学、材料科学及表面科学中具有广泛...
K-Alpha 能谱仪的荷电补偿使得仪器分析绝缘样品就像分析非绝缘样品一样容易。 赛默飞世尔科技的专利双束中和枪采用离子和极低能量的电子(低于 1 eV),可使得样品没有荷电积累。 在大多数情况下,无需荷电校正,让分析绝缘样品数据同数据采集一样简单。
XPS设备通常具备高分辨率（0.43eV），真空度极佳（5×10-10 mbar），能量分析范围广（0-5000eV），和精确的入射能范围（1-400eV）。不同类型的样品，如金属（0.5-3nm）、无机材料（2-4nm）和有机聚合物（5-10nm）测试深度各异。在化学、材料科学和表面科学中，XPS广泛应用于有机化合物结构分析...
硅的结合能通常在100-2000电子伏特(eV)范围内,而氧的结合能通常在400-600 eV范围内。这些结合能的数值可以用来判断SiO2中硅和氧原子之间的化学键强度和键长。例如,较高的结合能可能表示较强的硅-氧键。 一氧化硅XPS结合能提供了研究硅和氧原子之间化学键性质和电子结构的重要信息。
X射线光电子能谱技术（XPS）是电子材料与元器件显微分析中的一种先进分析技术，而且是和俄歇电子能谱技术（AES）常常配合使用的分析技术。由于它可以比俄歇电子能谱技术更准确地测量原子的内层电子束缚能及其化学位移，所以它不但为化学研究提供分子结构和原子价态方面的信息，还能为电子材料研究提供各种化合...
N 1s峰是氮化锂的次强峰,通常位于396-400 eV之间。这个峰的位置和形状可以反映出氮化锂的氮化程度和表面状态等。对于高纯度的氮化锂,N 1s峰的位置也比较稳定,但在氮化锂表面存在氮化程度不同的区域时,这个峰的位置和形状也会发生变化。 总之,XPS可以用来研究氮化锂的表面化学性质,其中Li 1s和N 1s峰的位置和形...
3 能量分析范围为0-5000eV; 4 通过能范围为1-400eV; 5 固体样品的表面成分分析、化学态分析,取样深度一般约为1-10nm,其中金属材料为0.5-3nm,无机材料2-4nm,有机高聚物5-10nm。 检测项目 在化学、材料科学及表面科学中具有广泛的应用价值。 为有机化合物结构分析提供信息,配合进行化合物定性定量分析,广泛应用...