Vs>0,空穴附加能量为qVs,能带向下弯,形成空穴势垒。故 P型硅和Ag接触后半导体表 面形成空穴势垒,即空穴的阻挡层;而 Wpt=5.36eV大于Ws=5.05eV,所以p型硅和Pt接触 后不能形成阻挡层。 (3分) (3) Ag和p-Si接触后形成的阻挡层的势垒高度为: qVD -Wn -地=4.81-5.06 = -0.24(eV) (2 分) ...
被鉴定 人姓名身份证号码 联系电话 工作 单位住 址 送检 材料1. 2. 3. 4. 案情简况 单位盖章: 年 月 日 四川中信司法鉴定所 地址: 四川省成都市十二桥路37号新1号,成都中医药大学十二桥校区华神科技大厦B401
设p型硅能带图如下所示,其受主浓度NA=1017/cm3,已知:WAg=4。18eV,WPt=5。36eV,NV=1019/cm3,Eg=1。12eV,硅电子亲和能χ=4
机关承办人联系 电话 委托 事项1. 2. 3. 被鉴定 人姓名身份证号码 联系电话 工作 单位住 址 送检 材料1. 2. 3. 4. 案情简况 单位盖章: 年 月 日 四川中信司法鉴定所 地址: 四川省成都市十二桥路37号新1号,成都中医药大学十二桥校区华神科技大厦B401...