OSE: OD Space Effect扩散区/有源区间距效应 PSE: Poly Space Effect栅间距效应 其中,WPE效应就是阱临近效应,指器件靠近阱(Well)引起的参数发生偏离,从而影响器件的性能。在普通的单阱工艺中,只有PMOS有此效应;在双阱工艺中,PMOS和NMOS都有此效应。 WPE参数主要有三个:SCA、SCB、SCC。这三个参数在BSIM4模型中...
在我们做前仿真的时候,一般不会特别注意WPE效应的参数,在每个MOS的properties界面中,WPE参数是默认隐藏的,如果你点击display,它会默认选择了no wpe effect,就是在前仿真不考虑WPE效应,可以看到,SCA、SCB和SCC这个数值,在no wpe effect这个数值是很小的,几乎不会对阈值电压等参数造成影响。 那么,在画完版图进行后仿...
在我们做前仿真的时候,一般不会特别注意WPE效应的参数,在每个MOS的properties界面中,WPE参数是默认隐藏的,如果你点击display,它会默认选择了no wpe effect,就是在前仿真不考虑WPE效应,可以看到,SCA、SCB和SCC这个数值,在no wpe effect这个数值是很小的,几乎不会对阈值电压等参数造成影响。 那么,在画完版图进行后仿...
WPE效应的核心在于其对阈值电压的影响，这是设计者特别关注的参数。若电路对阈值电压敏感，则需要仔细考虑WPE参数。在bsim模型中，WPE效应主要由SCA、SCB和SCC三个参数影响，这些参数实质上是器件各边缘到阱距离的积分。在实际操作中，如使用Cadence软件，通常在前仿真阶段不会特别关注WPE效应，WPE参数默认设...
bsim模型中，WPE的影响力由三个关键参数Vth0、Ueff和K2来衡量。特别是阈值电压，对电路敏感的工程师务必留意WPE的影响。这三个参数背后的SCA、SCB和SCC，其实质是器件边缘到阱的积分，反映了效应的强度。在实际的Cadence设计流程中，前仿真阶段往往忽视WPE，模型默认不考虑其影响。然而，后仿真时，NorC...
DSL：Dual Stress Liner。本文基于 28 nm 多晶硅工艺，深入研究阱临近效应对 MOSFET 特性的影响；分析设计过程中，由于受到工艺设计套件和 EDA 工具限制而导致仿真误差的原因；最后基于紧凑模型协会（Compact Model Council，CMC）的 WPE 模型，提出一种新的 WPE 模型参数（SCA、SCB和SCC）方程，在设计初期能 ...
在上述三个公式中,vth0为阈值电压,vth0org为基本模型的阈值电压,kvth0we为阈值电压偏移参数,sca、scb、scc为计算折合后的距离因子,web和wec为模型拟合参数,μeff为有效迁移率因子,μeff,org为基本模型的有效迁移率,ku0we为迁移率变化参数,scx为sca、scb、scc的基本折算公式,w是器件栅极区域的宽度,l是器件栅极...
Equation1Calculationofthresholdvoltage,mobilityandbodyeffect...3 Equation2IntegralformsforinstanceparametersSCA,SCB,andSCC...5 Equation3ClosedformsolutionsforSCA,SCB,andSCC...6 Equation4Integralformofequationsforcalculatingcornereffects...