型号 WNM2020-3/TR 型号 WNM2020-3/TR 品牌 WILL 批号 SOT23 封装 2020+PB HF QQ 800800605 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...
WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制8Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗,提高系统效率。 WNM2020-3/TR采用SOT23...
WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制8Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗,提高系统效率。WNM2020-3/TR采用SOT23封装...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 WNM2020、 3、 TR 商品图片 商品参数 品牌: WILL 批号: SOT23 封装: 2020+PBHF QQ: 800800605 数量: 900000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数...
WNM2020-3 由JSMSEMI/杰盛微 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WNM2020-3 价格参考￥ 0.1725 。 JSMSEMI/杰盛微 WNM2020-3 封装/规格: SOT-23-3, N沟道,20V,6A,28mΩ@4.5V。你可以下载 WNM2020-3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 详细引脚图及功能...
WNM2020-3 概述 N-Channel, 20V, 0.90A, Small Signal MOSFET Extremely Low Threshold Voltage N沟道, 20V , 0.90A ,小信号MOSFET非常低阈值电压 WNM2020-3 数据手册 通过下载WNM2020-3数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 ...
WILLSEMI WNM2020-3/TR 封装/规格: SOT-23, 功率(Pd):320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):830mA 类型:N沟道。你可以下载 WNM2020-3/TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 ...
WNM2020-3产品结构延续了原有WNM系列的设计理念,采用四层结构,从上到下分别为耐磨层、纤维增强层、基体层和底部防滑层。耐磨层采用高分子材料,具有优秀的耐磨性和抗冲击性能,能够承受各种复杂的环境和介质;纤维增强层采用高强度玻璃纤维,增强产品的强度和刚性,提高产品的耐用性和使用寿命;基体层采用高分子材料,具有良...
WNM2020-3/TR由WILLSEMI设计生产。WNM2020-3/TR封装/规格:阈值电压/850mV@250μA:功率耗散/240mW:额定功率/320mW:反向传输电容Crss/8pF:栅极源极击穿电压/±6V:击穿电压/20V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.03mm:长x宽/尺寸/2.90 x 1.30mm:原产国家/Chin...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 WNM2020、 3、 TR、 WILL、 SOT、 23 商品图片 商品参数 品牌: WILL 封装: SOT-23 批号: 21+ 数量: 50000 RoHS: 是 种类: 集成电路(IC) 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...