据《信学技报》 (日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上面设置 4层OA-OD布线层构成三维MMIC.AlGaAs/GaAs 0.1μm栅PHEMT的性能,f_T为85GHz,f_(max)为200 GHz.12 GHz下的NF_(min)为0.5 dB.该MMIC集成了LO放大器和低噪声放大器,...
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