ZnGeP2晶体在生长过程中,由于化学成分的偏离以及蒸汽压的控制问题,而产生大量的点缺陷.这些点缺陷包括Zn空位,P空位,Gezn反位等.点缺陷的存在会严重影响晶体在2μm附近的光学透明性,使晶体不能应用于OPO器件的制备.目前主要通过电子顺磁共振、电子-核双共振等方式对晶体的点缺陷进行研究,并通过理论计算模拟研究晶体...